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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-29 11:00 SRAMコアにおけるオンチップ電源雑音の発生と注入の評価 ○澤田卓也・利川 托・桝井 翼（神戸大）・永田 真（神戸大/JST）  CPM2010-125 ICD2010-84 |
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| 抄録 | （和） | SRAMメモリ不良を評価可能なテストチップを試作し，SRAMにおける電源雑音発生を評価，また外乱ノイズを電源へ注入することによってSRAMのノイズ耐性の評価を行った．評価の結果，SRAMの動作状態及び動作周波数に応じた電源雑音波形が観測できた． 外乱ノイズを注入して不良ビット発生の評価を行った結果，ノイズ電力量に依存して不良ビット発生率も増加する傾向があることがわかった．さらに，外乱ノイズの周波数をパラメータとした測定において，低周波ノイズ印加時に不良率が増大することから，印加ノイズの振幅よりも平均電圧がエラー発生に対して支配的であるという可能性が得られた． これらの結果から，不良ビットの解析のために電源電位のダイナミック変動を考慮する必要性を示した． |
| （英） | The noise tolerance of SRAM was evaluated by evaluating the power supply noise generation, and injecting the RF noise into the power supply in the test chip that was able to evaluate SRAM memory. It was ascertained that the failure bit incidence tends to increase depending on the amount of the noise power as a result of evaluation of injecting the RF noise. In addition,the possibility that the average voltage was dominant in the failure bit incidence was obtained. The necessity for considering a dynamic power supply variation for the failure bit analysis was shown from these results. |
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| キーワード | （和） | SRAMメモリ / ビット不良 / ノイズ印加 / 電源雑音 / / / / |
| （英） | SRAM memory / bit failure / noise injection / power supply noise / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 315, ICD2010-84, pp. 7-12, 2010年11月. | |
| 資料番号 | ICD2010-84 | |
| 発行日 | 2010-11-22 (CPM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-125 ICD2010-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
| 開催期間 | 2010-11-29 - 2010-12-01 |
| 開催地（和） | 九州大学医学部百年講堂 |
| 開催地（英） | Kyushu University |
| テーマ（和） | デザインガイア2010 ―VLSI設計の新しい大地― |
| テーマ（英） | Design Gaia 2010 ―New Field of VLSI Design― |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-11-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SRAMコアにおけるオンチップ電源雑音の発生と注入の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of on-chip power noise generation and injection in SRAM core |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAMメモリ / SRAM memory |
| キーワード(2)（和/英） | ビット不良 / bit failure |
| キーワード(3)（和/英） | ノイズ印加 / noise injection |
| キーワード(4)（和/英） | 電源雑音 / power supply noise |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 卓也 / Takuya Sawada / サワダ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 利川 托 / Taku Toshikawa / トシカワ タク |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桝井 翼 / Tsubasa Masui / マスイ ツバサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 真 / Makoto Nagata / ナガタ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学/CREST-JST (略称： 神戸大/JST) Kobe University/CREST-JST (略称： Kobe Univ./CREST-JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-29 11:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | CPM2010-125, ICD2010-84 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.314(CPM), no.315(ICD) |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-11-22 (CPM, ICD) |
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