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講演抄録/キーワード
講演名 2010-12-16 13:30
[招待講演]共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振
鈴木左文浅田雅洋東工大ED2010-158 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-158
抄録 (和) 共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いたテラヘルツ(THz)発振器に関して,最近の研究成果を報告する.我々は,高有効電流密度かつ低キャパシタンスのRTDを用いることにより831GHzの基本波発振を達成し,さらに,薄膜バリアと傾斜エミッタにより遅延時間を短縮したRTDにより1.04THzに発振周波数を向上させた.素子の高出力化も並行して行い,オフセット給電アンテナにより,素子単体で443GHzの発振が200マイクロワットの出力で得られ,また,相互注入同期を用いた多素子アレイによるコヒーレントな出力合成も達成した.さらに,THz帯無線通信に向け,素子のVCO特性を用いた周波数変調も行った. 
(英) We report on recent results of terahertz oscillators using resonant tunneling diodes. We achieved a fundamental oscillation frequency up to 831 GHz with RTD having high available current density and low capacitance, and up to 1.04 THz with RTD having thin barrier and graded emitter structures. The output power in single oscillator was increased to 200 micro Watt at 443 GHz by offset-fed slot antenna, and coherent power combination in multi element array due to mutual injection locking was achieved. Frequency direct modulation using VCO characteristics was also demonstrated for THz wireless communication.
キーワード (和) テラヘルツ / 共鳴トンネルダイオード / / / / / /  
(英) terahertz / resonant tunneling diode / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 342, ED2010-158, pp. 1-6, 2010年12月.
資料番号 ED2010-158 
発行日 2010-12-09 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-158 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-158

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2010-12-16 - 2010-12-17 
開催地(和) 東北大学 電気通信研究所 
開催地(英) Tohoku University (Research Institute of Electrical Communication) 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter wave, terahertz devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode at Room Temperature 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ / terahertz  
キーワード(2)(和/英) 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diode  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 左文 / Safumi Suzuki / スズキ サフミ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅田 雅洋 / Masahiro Asada / アサダ マサヒロ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-12-16 13:30:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-158 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.342 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2010-12-09 (ED) 


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