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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-16 13:50 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号 ○樋口和英・福田真由美・田中丸周平・竹内 健（東大）  ICD2010-99 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリを統合したSSD（ソリッドステートドライブ）用の適応的誤り訂正符号（ECC）を提案する．このSSDにおいてRRAM（抵抗変化型RAM）やPRAM（相変化型RAM），MRAM（磁気抵抗型RAM）などの高速な不揮発性RAMを書き込みバッファとして使用する．不揮発性RAMはNANDフラッシュメモリとSSD用のインターフェースにおける転送速度の差を補償する．不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリにおいて発生した誤りは効率的に誤り訂正回路で補償される．また，不揮発性RAMを書き込みバッファに使うことで10Gbpsの転送速度を実現し，且つ消費電力を抑える手法を示す． |
| （英） | In this paper, we propose the adaptive codeword ECC (Error Correcting Code) for NV-RAM (Non Volatile RAM) and NAND flash memory integrated SSD (Solid-State Drive) to improve the memory cell reliability. In the proposed SSD, NV-RAM such as RRAM, PRAM and MRAM is used as write buffers. The NV-RAM write buffer compensates the performance gap between the NAND flash memory and the SSD interface. Errors of NV-RAM and NAND are most efficiently corrected and reliability improves through error correcting circuit without area overhead. By using NV-RAM as write buffers, the 10Gbps write is achieved with a significant power reduction. | |
| キーワード | （和） | フラッシュメモリ / 不揮発性RAM / SSD / ECC / / / / |
| （英） | Flash memory / Nonvolatile RAM / SSD / ECC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-99, pp. 25-30, 2010年12月. | |
| 資料番号 | ICD2010-99 | |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2010-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2010-12-16 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 東京大学 先端科学技術研究センター |
| 開催地（英） | RCAST, Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | Workshop for Graduate Student and Young Researchers |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2010-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Error Rate Compensation Architecture and ECC for SSDs with NV-RAM and NAND Flash |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性RAM / Nonvolatile RAM |
| キーワード(3)（和/英） | SSD / SSD |
| キーワード(4)（和/英） | ECC / ECC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樋口 和英 / Kazuhide Higuchi / ヒグチ カズヒデ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 真由美 / Mayumi Fukuda / フクダ マユミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中丸 周平 / Shuhei Tanakamaru / タナカマル シュウヘイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-16 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2010-99 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.344 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-09 (ICD) |
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