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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 11:20 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング ○長谷川光洋・平田憲司・高山 環・舟谷友宏・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2010-189 |
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| 抄録 | （和） | 近年、次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い、シリコン原料の不足やコスト削減という面から、歩留りよく高効率な薄型シリコン太陽電池を作製できるプロセスの開発が急務となっている。そこで本研究では、低温プロセスであるレーザーを用いたドーピング法による多結晶太陽電池の作製を目的とする。これまでに、波長532nmのNd:YVO4レーザーを用いて太陽電池を作製し、多結晶基板において懸念されていた結晶粒界による悪影響がないことを確認した。また、レーザー照射により基板表面にキャビティが形成されることがわかった。さらに、レーザー照射を2回行うことでキャビティの除去及び特性の向上が確認できた。 |
| （英） | In the fabrication of silicon solar cells process, laser doping (LD) technique is recently gathering many attentions because of its advantages such as be operated at room temperature and in the atmosphere. In this study, we tried to apply laser doping method for the emitter formation in multi-crystalline silicon solar cell. As the result, enough photovoltaic properties were achieved by illuminated I-V measurements. In addition, evaluation by EL imaging technique was verified that LD technique can be applied to fabricate multi-crystalline silicon solar cells. Furthermore, by laser irradiation, it has been clarified that cavity is formed on silicon surface. | |
| キーワード | （和） | 多結晶シリコン / 太陽電池 / レーザードーピング / / / / / |
| （英） | Multi-crystalline Silicon / Solar Cell / aser Doping / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-189, pp. 25-28, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-189 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-189 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Laser Doping at Room Temperature in Multi-Crystalline Silicon Solar Cell Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / Multi-crystalline Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / Solar Cell |
| キーワード(3)（和/英） | レーザードーピング / aser Doping |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 光洋 / Mitsuhiro Hasegawa / ハセガワ ミツヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平田 憲司 / Kenji Hirata / ヒラタ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 環 / Tamaki Takayama / タカヤマ タマキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舟谷 友宏 / Tomohiro Funatani / フナタニ トモヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 11:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-189 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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