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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 14:10 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果 ○西川誠二・北野谷征吾・松浦秀治（阪電通大）  SDM2010-194 |
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| 抄録 | （和） | 低抵抗率半導体の欠陥評価として過渡容量法が有用であるが，半絶縁性半導体には適用できないため，過渡電流法の1つである放電電流過渡分光法を開発している．高純度半絶縁性4H-SiCを評価する場合，バルクを流れる電流以外に，表面を流れる漏れ電流があり，バルク中の欠陥評価を困難にしている．今回は，犠牲酸化処理による効果を調べた． |
| （英） | To determine the energy levels of intrinsic defects in high-purity semi-insulating 4H-SiC, we apply discharge current transient spectroscopy (DCTS) that is a graphical peak analysis method based on the transient reverse current of a Schottky barrier diode, because transient capacitance methods such as deep level transient spectroscopy and isothermal capacitance transient spectroscopy are feasible only in low-resistivity semiconductors. The reverse current consists the reverse current through the bulk and the surface leakage current. In this study, therefore, we investigate the effects of sacrifice oxidation on the characterization of the high-purity semi-insulating 4H-SiC by DCTS. | |
| キーワード | （和） | 放電電流過渡分光法 / 高純度半絶縁性4H-SiC / 表面漏れ電流 / 犠牲酸化処理 / / / / |
| （英） | Discharge current transient spectroscopy (DCTS) / High-purity semi-insulating 4H-SiC / Leakage current / Sacrifice oxidation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-194, pp. 51-56, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-194 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-194 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Sacrifice Oxidation on Characterization of Defects in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 放電電流過渡分光法 / Discharge current transient spectroscopy (DCTS) |
| キーワード(2)（和/英） | 高純度半絶縁性4H-SiC / High-purity semi-insulating 4H-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 表面漏れ電流 / Leakage current |
| キーワード(4)（和/英） | 犠牲酸化処理 / Sacrifice oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 誠二 / Seiji Nishikawa / ニシカワ セイジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北野谷 征吾 / Seigo Kitanoya / キタノヤ セイゴ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 14:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-194 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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