| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 16:25 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価 ○松江将博・市川和典・赤松 浩（神戸高専）・山崎浩司・堀田昌宏・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2010-200 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-200 |
|
| 抄録 | （和） | これまで、a-Si/SiO2/a-Siを積層した基板にグリーンレーザーを照射した場合、2層同時結晶化することを報告し、さらに上層をフローティングゲート、下層をチャネル層としたLTPS-TFT(Low Temperature Poly-Si TFT)メモリの作製を行った。今回は更なる特性向上を目指し、グリーンレーザーを基板裏面から照射したLTPS-TFTメモリの作製を行った。その結果、これまでよりチャネル層の結晶性が向上し、ON電流が増加した。さらに結晶時の融解熱によりSiO2がアニールされることで界面状態が向上し、S値及びメモリ特性についても向上が見られた。 |
| （英） | We have reported that the stacked a-Si layers were simultaneous crystallized by the green laser irradiation. In this study, stacked a-Si/SiO2/a-Si on the quartz substrate was crystallized two layers simultaneous by the green laser irradiation from the back. Thus, we fabricated the LTPS-TFT memory which has the upper layer as floating gate and the lower layer as channel layer. As a result, the crystallinity of the channel layer was improved and the on current was markedly increased. Moreover, the interface condition was improved due to the SiO2 layer was annealed by heat of fusion at the crystallization. Therefore, the subthreshold value and memory property were also improved. | |
| キーワード | （和） | 低温Poly-Si TFT / グリーンレーザー / フラッシュメモリ / レーザー結晶化 / / / / |
| （英） | Low Temperature Poly-Si TFT / Green laser / Flash memory / Laser crystallization / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-200, pp. 83-86, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-200 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-200 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-200 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of two layers simultaneous crystallized LTPS-TFT memory by the laser irradiation from the back. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温Poly-Si TFT / Low Temperature Poly-Si TFT |
| キーワード(2)（和/英） | グリーンレーザー / Green laser |
| キーワード(3)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | レーザー結晶化 / Laser crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松江 将博 / Masahiro Matsue / マツエ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 (略称： 神戸高専) Kobe City College of Technology (略称： KCCT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 和典 / Kazunori Ichikawa / イチカワ カズノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 (略称： 神戸高専) Kobe City College of Technology (略称： KCCT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤松 浩 / Hiroshi Akamatsu / アカマツ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸市立工業高等専門学校 (略称： 神戸高専) Kobe City College of Technology (略称： KCCT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 浩司 / Koji Yamasaki / ヤマサキ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 16:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-200 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.83-86 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]