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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 15:00 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 ○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本 智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL）  LQE2010-123 |
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| 抄録 | （和） | 半導体レーザの基板として均一組成の板状InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) 単結晶育成に世界で初めて成功した．用いた方法はTraveling liquidus-zone (TLZ) 法という新しく開発した方法である．TLZ法で高品質結晶を製造するための キーポイントは融液内の対流を抑制することと，一定な温度勾配を保つことであった．大型化を進めた結果，50×50mm2以上の単結晶領域を有する基板製造に成功した．InGaAs基板上1.3m帯レーザは高い出力安定性を示すとともに優れた伝送特性を示し，三元基板使用の利点を示した． |
| （英） | We have succeeded in growing homogeneous InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) platy single crystals by the traveling liquidus-zone (TLZ) method as substrates of laser diodes for the first time. Key points in the TLZ method are to suppress convection in a melt and to keep constant temperature gradient for obtaining homogeneous crystals. Single crystals with surface area larger than 50×50mm2 were grown. Fabricated laser diodes on these substrates showed high temperature stability and error free transmission and showed the merit of ternary substrates. | |
| キーワード | （和） | InGaAs / 基板結晶 / TLZ法 / 1.3ミクロン帯半導体レーザ / / / / |
| （英） | InGaAs / substrate / TLZ method / 1.3 micron wavelength laser diode / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-123, pp. 43-46, 2010年12月. | |
| 資料番号 | LQE2010-123 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2010-123 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of large InGaAs single crystals as substrates of 1.3 micron wavelength laser diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 基板結晶 / substrate |
| キーワード(3)（和/英） | TLZ法 / TLZ method |
| キーワード(4)（和/英） | 1.3ミクロン帯半導体レーザ / 1.3 micron wavelength laser diode |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 恭一 / Kyoichi Kinoshita / キノシタ キョウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構 (略称： JAXA) Japan Aerospace Exploration Agency (略称： JAXA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 依田 眞一 / Shinichi Yoda / ヨダ シンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 宇宙航空研究開発機構 (略称： JAXA) Japan Aerospace Exploration Agency (略称： JAXA) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 拓克 / Hirokatsu Aoki / アオキ ヒロカツ |
| 第3著者 所属（和/英） | フルウチ化学株式会社 (略称： フルウチ化学) Furuuchi Chemical Co. Ltd (略称： Furuuchi Chem.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 智 / Satoshi Yamamoto / ヤマモト サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | フルウチ化学株式会社 (略称： フルウチ化学) Furuuchi Chemical Co. Ltd. (略称： Furuuchi Cem.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細川 忠利 / Tadatoshi Hosokawa / ホソカワ タダトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | フルウチ化学株式会社 (略称： フルウチ化学) Furuuchi Chemical Co. Ltd. (略称： Furuuchi Che.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松島 正明 / Masaaki Matsushima / マツシマ マサアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | フルウチ化学株式会社 (略称： フルウチ化学) Furuuchi Chemical Co. Ltd. (略称： Furuuchi Chem.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 昌和 / Masakazu Arai / アライ マサカズ |
| 第7著者 所属（和/英） | NTT 東日本株式会社 (略称： NTT東日本) Nippon Telegraph and Telephone East Corporation (略称： NTT East) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川口 悦弘 / Yoshihiro Kawaguchi / カワグチ ヨシヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | NTT エレクトロニクス株式会社 (略称： NEL) NTT Electronics Corporation (略称： NEL) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 狩野 文良 / Fumiyoshi Kano / カノウ フミヨシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 康洋 / Yasuhiro Kondo / コンドウ ヤスヒロ |
| 第10著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクス株式会社 (略称： NEL) NTT Electronics Corporation (略称： NEL) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 15:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2010-123 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.353 |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) |
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