| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 16:05 ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発 ○岡部泰典・近藤健二（東北学院大）・広瀬研太・鈴木順季・北原邦紀（島根大）・原 明人（東北学院大）  SDM2010-199 |
|
| 抄録 | （和） | 多結晶半導体からなる薄膜トランジスタ(TFT)の移動度は結晶粒径に依存する。我々は、前駆体として非晶質Si1-xGexを用いた連続波（CW）レーザによるラテラル結晶化により、poly-Si薄膜に比較して大粒径の多結晶薄膜を形成できることを既に報告している。また、Si1-xGexの溶融温度は、Si薄膜のそれよりも低い。したがって、非晶質Si1-xGexを用いれば、ガラスへの熱損傷を低減しつつ、大粒径の多結晶半導体薄膜を実現することが可能である。本研究では、ガラス基板上に550℃の低温プロセスで大粒径poly-Si0.95Ge0.05 TFTを製作し性能評価を行った。その結果、n-ch 移動度145 cm2/Vsを実現した。 |
| （英） | It is recognized that field-effect mobility of TFTs increases with grain size. We reported previously that it is possible to fabricate lateral large-grained poly-Si1-xGex films by continuous wave (cw) laser lateral crystallization using amorphous Si1-xGex as the precursor. The melting temperature of Si1-xGex films is lower than that of Si films. Therefore, the application of lateral large-grained poly-Si1-xGex films to TFTs on glass substrates will yield high-performance TFTs and reduce the thermal damage to the substrates. In this study, we fabricated poly-Si0.95Ge0.05 TFTs on glass substrates at a low process temperature of 550°C and obtained n-channel field-effect mobility of 145 cm2/Vs. | |
| キーワード | （和） | Si1-xGex / 薄膜トランジスタ / TFT / 多結晶薄膜 / 太陽電池 / / / |
| （英） | Si1-xGex / Thin Film Transistors / TFT / Polycrystalline film / solar cell / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-199, pp. 79-82, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-199 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-199 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ガラス上に形成された大粒径を有する低温poly-Si1-xGex薄膜トランジスタの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral Large-Grained Low-Temperature Poly-Si1-xGex TFTs on Glass Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si1-xGex / Si1-xGex |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistors |
| キーワード(3)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(4)（和/英） | 多結晶薄膜 / Polycrystalline film |
| キーワード(5)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡部 泰典 / Yasunori Okabe / オカベ ヤスノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 健二 / Kenji Kondo / コンドウ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 広瀬 研太 / Kenta Hirose / ヒロセ ケンタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 順季 / Junki Suzuki / スズキ ジュンキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北原 邦紀 / Kuninori Kitahara / キタハラ クニノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 16:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-199 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]