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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 12:00 ナノ構造シリコンへのH2-N2プラズマ処理効果 ○渡辺晃次・須田健一・仲田英起・本橋光也（東京電機大）  SDM2010-191 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，ナノ構造シリコン(NS)表面へのプラズマ処理がその表面構造に与える影響について検討した．このプラズマ処理は，H2-N2混合ガスの高周波グロー放電プラズマを用いて行った．その結果，プラズマ処理により表面形状，元素組成，原子結合状態及び電子欠陥状態が変化することが分かった．そして，これら構造変化の原因としてプラズマ中の電子状態やラジカル種，イオン種の状態が関係していることが推察された． |
| （英） | In this study, we researched the effect of H2-N2 plasma exposure on nanostructured silicon. The plasma treatment to the silicon surface was carried out by using radio frequency glow-discharge. It was found that the surface morphology, atomic bonding configuration, and electric defect-state of the silicon nanostructured were changed by plasma exposure. In addition, the relationship between these structural changes and plasma state was looked at. | |
| キーワード | （和） | シリコン / ナノ構造 / H2-N2プラズマ / 原子結合状態 / 電子欠陥 / / / |
| （英） | silicon / nanostructure / H2-N2 plasma / atomic bonding / defect density / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-191, pp. 33-37, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-191 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-191 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノ構造シリコンへのH2-N2プラズマ処理効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of H2-N2 Plasma Exposure on Nanostructured Silicon |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ構造 / nanostructure |
| キーワード(3)（和/英） | H2-N2プラズマ / H2-N2 plasma |
| キーワード(4)（和/英） | 原子結合状態 / atomic bonding |
| キーワード(5)（和/英） | 電子欠陥 / defect density |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 晃次 / Akitsugu Watanabe / ワタナベ アキツグ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京電機大学 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： Tokyo Denki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 健一 / Kenichi Suda / スダ ケンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京電機大学 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： Tokyo Denki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仲田 英起 / Hideki Nakada / ナカダ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京電機大学 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： Tokyo Denki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本橋 光也 / Mitsuya Motohashi / モトハシ ミツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京電機大学 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： Tokyo Denki Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 12:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-191 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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