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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 15:25 光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大）  LQE2010-124 |
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| 抄録 | （和） | 光励起によるGaAs0.975Bi0.025/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs0.975Bi0.025活性層は分子線エピタキシー法で350 ℃の低温で成長した。160 Kから240 Kの範囲では、このレーザの特性温度は83 Kであり、この温度範囲の発振ピークエネルギーの温度係数は-0.18 meV/Kであった。これはGaAsの禁制帯幅の温度係数の40%である。240 K以上では、このレーザのしきい値励起光強度密度は急に増加し、発振ピークエネルギーは高エネルギー側にシフトした。これらの現象は、大きな価電子帯オフセットとほぼ平坦な導電帯オフセットを有していると予想されるGaAs0.975Bi0.025/GaAsヘテロ界面におけるキャリアの振舞いによるものと考えられる。 |
| （英） | Lasing oscillation from a GaAs1-xBix/GaAs thin film with a Fabry-Perot cavity is achieved by photo-pumping. The GaAs0.975Bi0.025 active layer was grown at as low as 350 oC by molecular beam epitaxy. The characteristic temperature of the laser was 83 K between 160 and 240 K. In this temperature range, temperature coefficient of the lasing emission peak energy was -0.18 meV/K, which is 40% of the value for the band gap of GaAs. Above 240 K, the lasing threshold pumping power increased sharply, and the lasing emission peak energy started shifting to a higher energy. | |
| キーワード | （和） | ビスマス系III-V族半導体半金属混晶 / 分子線エピタキシー / ファブリ・ペローレーザ / / / / / |
| （英） | Bismide III-V semiconductor-semimetal alloy / Molecular beam epitaxy / Fabry-Perot laser / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-124, pp. 47-50, 2010年12月. | |
| 資料番号 | LQE2010-124 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2010-124 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 |
| サブタイトル（和） | その発振波長の低温度依存性 |
| タイトル（英） | Lasing in GaAs1-xBix/GaAs thin film cavity by photo-pumping and its low-temperature-dependent oscillation wavelength |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | ビスマス系III-V族半導体半金属混晶 / Bismide III-V semiconductor-semimetal alloy |
| キーワード(2)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular beam epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | ファブリ・ペローレーザ / Fabry-Perot laser |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富永 依里子 / Yoriko Tominaga / トミナガ ヨリコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾江 邦重 / Kunishige Oe / オエ クニシゲ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 昌広 / Masahiro Yoshimoto / ヨシモト マサヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2010-124 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.353 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-12-10 (LQE) |
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