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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 10:40 イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 ○中島孝仁・松倉武偉（京大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大）  SDM2010-187 |
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| 抄録 | （和） | イオンチャネリングを用いて，エピタキシャル成長したFe3-xMnxSi(111)/Ge(111)界面の軸配向性を評価した．軸配向性は，界面での格子不整合によって支配されることが明らかになった．そこで本研究では，軸上での原子配置の乱れに直接関係する静的変位を求め，さらに低温でのイオンチャネリングを行い静的変位の支配因子を検討した．その結果，格子不整合の減少に対応して界面での静的変位が減少した．このことからFe3-xMnxSi(111)/Ge(111)界面では，格子不整合が軸上での原子配置(列)の乱れを引き起こす原因の１つであることを明らかにした． |
| （英） | The axial orientation of epitaxially grown Fe3-xMnxSi(111) on Ge(111) has been reported by using ion channeling. It has been reported that the axial orientation is dominated by the lattice mismatch of interfaces. In this study, we have computed the static displacement related to axial disorder of arrangement of atoms and discussed what the dominant factors for the static displacement by ion channeling at low temperature. We found that the static displacement decreases as the lattice mismatch decrease. This results suggest that lattice mismatch may be one of the factors which cause disorder of axial arrangement of atoms at Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111) heteroepitaxial interfaces. | |
| キーワード | （和） | イオンチャネリング / ホイスラー合金膜 / 静的原子変位 / 格子不整合 / / / / |
| （英） | ion channeling / Heusler alloy / static displacement / lattice mismatch / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-187, pp. 13-17, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-187 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-187 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ion channeling at Heusler alloy Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111) heteroepitaxial interfaces |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンチャネリング / ion channeling |
| キーワード(2)（和/英） | ホイスラー合金膜 / Heusler alloy |
| キーワード(3)（和/英） | 静的原子変位 / static displacement |
| キーワード(4)（和/英） | 格子不整合 / lattice mismatch |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 孝仁 / Takahito Nakajima / ナカジマ タカヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松倉 武偉 / Bui Matsukura / マツクラ ブイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳴海 一雅 / Kazumasa Narumi / ナルミ カズマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 佳均 / Yoshihito Maeda / マエダ ヨシヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 10:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-187 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.13-17 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
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