| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-12-17 15:45 ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 ○奥谷真士・高島周平・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters）  SDM2010-198 |
|
| 抄録 | （和） | ホトルミネセンス(PL)法を活用して，極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た．イオン注入層の再結晶化に伴う10 ohm/sq.程度のシート抵抗の変化に対応したPL強度の変化を捉えた．PL法で，非破壊で感度良く再結晶化の過程を観測できる．注入条件および熱処理条件の異なる極浅接合をDLTS法により解析し，再結晶化過程における欠陥の生成と消滅の様子を捉えた．極浅接合の深さは20nm程度であるのに対して，欠陥は600nm程度の深さにまで形成されていた．DLTS測定で検出した欠陥の深さとPL測定の検出深さが良く一致している．PL強度は，極浅接合より深いところの欠陥密度と対応関係を持つことを明らかにした． |
| （英） | Recrystallization of low-energy implanted ultra-shallow junctions (USJs) are characterized by photoluminescence (PL) and four-point prove. For the samples after and before anneal, PL intensity is accurately reverse proportional to sheet resistance. PL can be indicative of recrystallization. Furthermore, comparing PL with deep level transient spectroscopy study, we found the correlation between PL intensity and defect concentration. PL is a good measurement to prove the generation and annihilation of detects in the process in USJs. | |
| キーワード | （和） | 極浅接合 / イオン注入 / 再結晶化 / 非晶質化処理 / 急速熱処理 / ホトルミネセンス / DLTS / |
| （英） | ultra-shallow junction / ion-implantation / recrystallization / rapid thermal anneal / photoluminescence / deep level transient spectroscopy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 351, SDM2010-198, pp. 73-78, 2010年12月. | |
| 資料番号 | SDM2010-198 | |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-198 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-12-17 - 2010-12-17 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence and deep level transient spectroscopy study on recrystallization of ultra-shallow junction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極浅接合 / ultra-shallow junction |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / ion-implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 再結晶化 / recrystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 非晶質化処理 / rapid thermal anneal |
| キーワード(5)（和/英） | 急速熱処理 / photoluminescence |
| キーワード(6)（和/英） | ホトルミネセンス / deep level transient spectroscopy |
| キーワード(7)（和/英） | DLTS / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥谷 真士 / Masashi Okutani / オクタニ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高島 周平 / Shuhei Takashima / タカシマ シュウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 昌広 / Masahiro Yoshimoto / ヨシモト マサヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Woo Sik Yoo / Woo Sik Yoo / |
| 第4著者 所属（和/英） | ウェハーマスターズ (略称： WaferMasters) WaferMasters, Inc. (略称： WaferMasters, Inc.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-12-17 15:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-198 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.351 |
| ページ範囲 | pp.73-78 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-12-10 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]