講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-12-17 13:05
オンチップ光配線用MZI型シリコン光変調器およびInGaAs MSM-PDの小型集積化技術の開発 ○大平和哉・小林賢太郎・飯塚紀夫・吉田春彦・鈴木 隆・鈴木信夫・江崎瑞仙(東芝) OPE2010-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2010-131 |
抄録 |
(和) |
オンチップ光配線の実現に向けた、Si導波路に集積した光変調器および受光素子の小型集積化術について報告する。Si上に作製したキャリア注入型のマッハツェンダー型Si光変調器では素子サイズ100$\mu$m以下での高効率(VL=0.06Vmm)・高速動作、InGaAs MSM受光素子では小型(2×10$\mu$m^2)・高感度(0.94A/W)・低暗電流(20nA以下)・10Gbpsの高速応答動作を実証した。 |
(英) |
The development of integration technology of silicon MZI modulator and InGaAs MSM-PD for on-chip optical interconnects are reported. We demonstrated a silicon Mach-Zehnder interferometer (MZI) optical modulator, operated with carrier-injection mode, with a short device length of less than 100$\mu$m and high-modulation efficiency (VL=0.06Vmm), and InGaAs MSM-PDs integrated on Si waveguide with a small footprint of 2 × 10 $\mu$m^2, high-efficiency (0.94 A/W), low dark current (less than 20 nA), and a capability of 10 Gbps data rate. |
キーワード |
(和) |
光配線 / Si導波路 / シリコンフォトニクス / 光変調器 / 受光素子 / / / |
(英) |
Optical interconnects / Si waveguide / Silicon photonics / Optical modulator / Photodetector / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 352, OPE2010-131, pp. 1-6, 2010年12月. |
資料番号 |
OPE2010-131 |
発行日 |
2010-12-10 (OPE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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