講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-12-17 11:10
a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ ○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久(東工大) LQE2010-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-118 |
抄録 |
(和) |
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念されており、その解決策の一つとしてグローバル配線層を光配線に代替することが有望視されている。半導体薄膜(membrane)レーザは高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が期待されている。これまでに、我々は半導体薄膜レーザの電流動作化に向けて、横方向電流注入構造を導入し、横方向電流注入型FPレーザを半絶縁性InP基板上に試作してきた。今回、表面回折格子構造を用い横方向電流注入型DFBレーザの試作を行った。まず、ストライプ表面のGaInAsP層を直接エッチングすることで横方向電流注入構造としては初めての単一モードでの発振を確認し、更にa-Siを用いた表面回折格子を導入したDFBレーザを作製し、室温連続動作条件下でしきい値電流値7.0 mA、外部微分量子効率43%の良好な発振特性を実現したのでご報告する。 |
(英) |
The performance of LSI will hit performance ceiling by global wiring data capacity with technological progress like a signal delay or thermal problem. One of the promising candidates to solve this problem is replacing the electrical global wiring on chip by an optical interconnection. A semiconductor membrane laser, which consists of a high-ondex contrast waveguide, is expected to operate with ultra low threshold current due to an enhanced modal gain. We have introduced a lateral current injection (LCI) structure for electrical pumped membrane laser. In this paper, we tried to demonstrate LCI type DFB laser with surface grating structure. At first, we fabricated the LCI-DFB laser with etched GaInAsP surface grating, and realized the first single mode operation of LCI-DFB laser under Furthermore, we introduced a-Si surface grating structure in LCI laser and improved lasing characteristics. A low threshold current of 7.0 mA, and high differential quantum efficiency from a front facet of 43% were obtained under a room-temperature continuous-wave condition. |
キーワード |
(和) |
半導体薄膜レーザ / 横方向電流注入 / 強光閉じ込め / 表面回折格子 / / / / |
(英) |
Semiconductor membrane laser / Lateral current injection / Strong optical confinement / Surface grating / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 353, LQE2010-118, pp. 17-22, 2010年12月. |
資料番号 |
LQE2010-118 |
発行日 |
2010-12-10 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
LQE2010-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2010-118 |