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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-14 14:30 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT ○金谷 康・天清宗山・渡辺伸介・山本佳嗣・小坂尚希・宮國晋一・後藤清毅・島 顕洋（三菱電機）  ED2010-190 MW2010-150 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-190 MW2010-150 |
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| 抄録 | （和） | 車載ミリ波レーダーへの適用を目的として、低1/f雑音で高信頼性であるInP/GaAsSb DHBTを試作した。1/f雑音の低減、及び信頼性の向上には再結合電流の抑制が重要である。InP/GaAsSb DHBTの再結合電流を解析した結果、ベース表面に起因する準位が再結合電流の支配要因であることが分かった。そこで、ベース表面の再結合電流を抑制すべく、ベース表面構造をガードリングとSiN表面保護膜で最適化した。最適化したHBTの1/f雑音は7dBの低減効果があり、また1000hrの高温DC通電試験でも劣化は示さなかった。最適化したHBTを用いたW帯発振器の位相雑音は、最適化前と比較して10dB低い-107 dBc/Hz@1MHz-Offsetと優れた特性を示した。 |
| （英） | This paper presents a low 1/f noise and high reliability InP/GaAsSb DHBT developed for automotive radars. To improve 1/f noise and reliability, experimental analyses on the recombination current have been carried out. As a result, we have clarified that the recombination current which can affect 1/f noise and reliability, originates from the surface of the base. We have optimized the base surface structure with the ledge and SiN passivation film. The optimized DHBT offers the lower 1/f noise level than that of the non-optimized DHBT by 7 dB. Additionally, in the high temperature burn-in test, no degradation has been observed even after 1,000 hrs. The W-band oscillator with the optimized HBT delivers the lower phase noise of -107 dBc/Hz at 1MHz-offset compared with that of the non-optimized HBT oscillator by 10 dB. | |
| キーワード | （和） | InP / GaAsSb / HBT / 1/f雑音 / 再結合電流 / 発振器 / 位相雑音 / |
| （英） | InP / GaAsSb / HBT / 1/f noise / recombination current / oscillator / phase noise / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 358, ED2010-190, pp. 81-86, 2011年1月. | |
| 資料番号 | ED2010-190 | |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-190 MW2010-150 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-190 MW2010-150 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2011-01-13 - 2011-01-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC and High-Speed, High-Frequency Devices/Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A low 1/f Noise and High Reliability InP/GaAsSb DHBT for 76 GHz Automotive Radars |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(3)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(4)（和/英） | 1/f雑音 / 1/f noise |
| キーワード(5)（和/英） | 再結合電流 / recombination current |
| キーワード(6)（和/英） | 発振器 / oscillator |
| キーワード(7)（和/英） | 位相雑音 / phase noise |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金谷 康 / Ko Kanaya / カナヤ コウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天清 宗山 / Hirotaka Amasuga / アマスガ ヒロタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 伸介 / Shinsuke Watanabe / ワタナベ シンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 佳嗣 / Yoshitsugu Yamamoto / ヤマモト ヨシツグ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小坂 尚希 / Naoki Kosaka / コサカ ナオキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮國 晋一 / Shinichi Miyakuni / ミヤクニ シンイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 清毅 / Seiki Goto / ゴトウ セイキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島 顕洋 / Akihiro Shima / シマ アキヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-14 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-190, MW2010-150 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.358(ED), no.359(MW) |
| ページ範囲 | pp.81-86 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-01-06 (ED, MW) |
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