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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-28 10:50 10G-EPON OLT用トランスインピーダンスアンプ ～ トランジスタで構成したスイッチ回路の開発 ～ ○原 弘・澤田宗作（住友電工）  OCS2010-111 |
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| 抄録 | （和） | 10G-EPON OLTを構成する重要なデバイスである、1G/10Gデュアルレートでのバーストモード受信が可能なTIAを開発したので報告する。TIAのゲイン調整は平均値検出型のAGCを使用し、バースト信号受信を可能にするため、プリアンブル信号受信時に時定数を切り替えるスイッチ回路の開発を行った。TIAはInP HBTプロセスを用いて作製し、APDと同軸ROSAに実装し評価を行った。その結果、受信感度1G:-33.9dBm、10G:-29.9dBmとIEEE802.3.av PR30/PRX30の規格に対し、十分満足する結果を得た。 |
| （英） | We report a newly developed dual rate burst mode transimpedance amplifier (TIA), which is key device for 10G-EPON OLT. The automatic gain control (AGC) of TIA is used average detection type. For receiving the burst mode, we developed the switch circuit using transistor in order to change the time constant of the average detection of AGC during preamble signal. TIA IC is fabricated with InP HBT process technology. We evaluated an assembled optical receiver with APD and TIA. As a result, 10.3G and 1.25G receiver sensitivity of -29.9dBm and -33.9dBm are achieved, respectively. | |
| キーワード | （和） | IEEE802.3av / 10G-EPON / OLT / バーストモード / デュアルレート / / / |
| （英） | IEEE802.3av / 10G-EPON / OLT / burst mode / dual rate / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 392, OCS2010-111, pp. 73-76, 2011年1月. | |
| 資料番号 | OCS2010-111 | |
| 発行日 | 2011-01-20 (OCS) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2010-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS CS |
| 開催期間 | 2011-01-27 - 2011-01-28 |
| 開催地（和） | 徳島大学 |
| 開催地（英） | The University of Tokushima |
| テーマ（和） | コア・メトロシステム、光アクセスシステム・次世代PON、ブロードバンドアクセス方式、（広域）イーサネット、光伝達網 (OTN)、高速インタフェース、アナログ光伝送、量子通信、一般，CS研50周年記念行事 |
| テーマ（英） | Core/metro system, Optical access system/next generation PON, Broadband access system, (Wide area)Ethernet, Optical transport network(OTN), High-speed interface, Analog optaical transmission, Quantum communication etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OCS |
| 会議コード | 2011-01-OCS-CS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 10G-EPON OLT用トランスインピーダンスアンプ |
| サブタイトル（和） | トランジスタで構成したスイッチ回路の開発 |
| タイトル（英） | A transimpedance amplifier for 10G-EPON OLT |
| サブタイトル（英） | Swich circuit using HBT transistor for burst mode TIA |
| キーワード(1)（和/英） | IEEE802.3av / IEEE802.3av |
| キーワード(2)（和/英） | 10G-EPON / 10G-EPON |
| キーワード(3)（和/英） | OLT / OLT |
| キーワード(4)（和/英） | バーストモード / burst mode |
| キーワード(5)（和/英） | デュアルレート / dual rate |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 弘 / Hiroshi Hara / ハラ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries,Ltd. (略称： SEI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 宗作 / Sosaku Sawada / サワダ ソウサク |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries,Ltd. (略称： SEI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-28 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OCS |
| 資料番号 | OCS2010-111 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.392 |
| ページ範囲 | pp.73-76 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-01-20 (OCS) |
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