| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-02-07 16:25
メタルハードマスクプロセスを用いた32nm以細対応ELK配線技術 ○松本 晋・原田剛史・森永泰規・稲垣大介・柴田潤一・田代健二・可部達也・岩崎晃久・平尾秀司・筒江 誠・野村晃太郎・瀬尾光平・樋野村 徹・虎澤直樹・鈴木 繁(パナソニック) SDM2010-226 |
| 抄録 |
(和) |
ELK(Extremely Low-k, k=2.4)を用いた高性能な32nm世代多層配線を開発した。その新規主要技術は以下の通りである。
1)プロセスダメージ抑制と、リソグラフィマージンを確保しつつビア-配線間スペースを拡げるために、高強度なELK膜とメタルハードマスク(MHM)セルフアラインビアプロセス技術を開発。このプロセスにより、ELK膜の性能を最大限引き出した超低容量特性とビア付配線間TDDBの高信頼性を両立した配線を実現。
2)チップパッケージ耐性を向上させるために、ELKとライナー絶縁膜間の新規界面制御技術を開発。その結果、チップパッケージに対しても高信頼性化を実現。
本プロセスは高い生産性を有しており、今後の32nm以細多層配線に有望なプロセスであることを実証した。 |
| (英) |
High performance 32nm-node interconnect with ELK (Extremely Low-k, k=2.4) has been demonstrated. The two main key technologies are as follows;
1) To suppress process damage and enlarge the via-line space with a wide lithography process margin, robust ELK film with a metal hard mask (MHM) self-aligned via process has been developed. It has accomplished both ultimate low capacitance wirings that demonstrated maximum ELK performance and high TDDB reliability between Cu lines with vias.
2) A novel technique of interface engineering between ELK and a liner layer has been developed to strengthen the tolerance against chip packaging. This has achieved highly reliable chip packaging.
This complete process has a high manufacturability and it therefore offers a promising technology for the 32-nm node and beyond. |
| キーワード |
(和) |
Cu配線 / ポーラスLow-k膜 / メタルハードマスク / TDDB信頼性 / パッケージ / / / |
| (英) |
Cu interconnect / Porous low-k / Metal hard mask / TDDB reliability / Package / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 408, SDM2010-226, pp. 59-63, 2011年2月. |
| 資料番号 |
SDM2010-226 |
| 発行日 |
2011-01-31 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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