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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-02-07 13:10 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 ○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST）  SDM2010-220 |
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| 抄録 | （和） | グラフェンを低温（400℃以下）、触媒無し、大面積成長させるため、我々は光電子制御プラズマを開発した。本研究では光電子制御プラズマの放電条件がグラファイト材料への結晶性に与える影響を明らかにするため、結晶性の放電電圧依存を調べた。紫外線照射を行わない通常の直流放電プラズマに比べて、光電子制御プラズマではラマン分光スペクトルの半値幅が細く、結晶性が良いことが分かった。また放電電圧を下げるほど結晶性は向上し、200 Vではマイクロ波プラズマCVDで形成したグラファイト材料（カーボンナノウォール）よりも良い結晶性が得られた。この結果から高品質グラファイトの成長には試料へのイオン衝突が必要であることが示唆された。 |
| （英） | he photoemission-assisted plasma chemical vapor deposition has been developed to form the graphene for large area without any catalysts in low temperature. In this study, we have investigated the plasma voltage dependence of the crystallographic quality of networked nanographite (NNG). The width of Raman spectra, which indicates the crystallographic quality of the graphitic materials, grown by photoemission-assisted plasma is narrower than that by traditional DC discharge plasma. Furthermore, it is found that the G band width of NNG grown at 200 V of plasma voltage is narrower than that of carbon nanowall grown by the microwave plasma CVD. | |
| キーワード | （和） | 光電子制御プラズマ / ナノグラファイト / 多層グラフェン / プラズマCVD / ラマン分光法 / / / |
| （英） | Photoemission-assisted plasma / Nanographite / Multilayer graphene / plasma-enhanced chemical vapor deposition / Raman spectroscopy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 408, SDM2010-220, pp. 25-30, 2011年2月. | |
| 資料番号 | SDM2010-220 | |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-220 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-02-07 - 2011-02-07 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Networked nanographite growth using photoemission-assisted enhanced plasma CVD: discharge condition dependence of the crystallographic quality |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子制御プラズマ / Photoemission-assisted plasma |
| キーワード(2)（和/英） | ナノグラファイト / Nanographite |
| キーワード(3)（和/英） | 多層グラフェン / Multilayer graphene |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマCVD / plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(5)（和/英） | ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 修一 / Shuichi Ogawa / オガワ シュウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 多元研/CREST-JST (略称： 東北大/JST) IMRAM, Tohoku University/CREST-JST (略称： Tohoku Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 元伸 / Motonobu Sato / サトウ モトノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通/CREST-JST (略称： 富士通/JST) Fujitsu/CREST-JST (略称： Fujitsu/JST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角 治樹 / Haruki Sumi / スミ ハルキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 多元研 (略称： 東北大) IMRAM, Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二瓶 瑞久 / Mizuhisa Nihei / ニヘイ ミズヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通/CREST-JST (略称： 富士通/JST) Fujitsu/CREST-JST (略称： Fujitsu/JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高桑 雄二 / Yuji Takakuwa / タカクワ ユウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 多元研/CREST-JST (略称： 東北大/JST) IMRAM, Tohoku University/CREST-JST (略称： Tohoku Univ./JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-02-07 13:10:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-220 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.408 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) |
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