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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-02-07 15:25 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス ○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）  SDM2010-224 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-224 |
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| 抄録 | （和） | 低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で形成されたシリコン-酸化窒化(SiON)バリア膜は、膜密度の減少でCuの拡散速度が増加する。Si基板へのCu拡散の防止のための必要な密度と厚さの関係を見積もり、バンプレスTSVのプロセス設計を行った。SiNバルク相対密度が約60%である厚さ100nmのSiON膜の場合、3次元積層ウエハーにおけるTSVの電気的抵抗の変化は1000サイクルのサーマルサイクル試験の熱的応力負荷後でも観察されなかった。本報告の結果は、150℃低温プロセスで形成したSiON膜を用いた低温CVDプロセスが、ビアラスト3Dプロセスにおいて十分な電気的特性と信頼性を持っていることを実証した。 |
| （英） | Diffusion behavior of Cu in Cu through-silicon-vias (TSVs) fabricated using low-temperature plasma enhanced chemical vapor deposition (LT-PECVD) has been evaluated. Silicon oxy-nitride (SiON) barrier films were formed by LT-PECVD at 150°C. Cu diffusion rate was found to increase with decreasing film density. The critical density and thickness for prevention of Cu diffusion into Si substrate have been estimated. In case of a film with density >60% of the bulk value and/or thickness >100 nm, no change of electrical resistance for stacked wafers containing TSVs was observed after 1000 cycles of thermal stress. According to above results, SiON film formed at 150°C can be used for the TSV process without any degradation of electrical characteristics and reliability, enabling a reduction in total process temperature in the wafer-on-wafer technology. | |
| キーワード | （和） | 3次元IC / シリコン貫通ビア / 低温PE-CVD / SiON / 拡散バリア / BS-SIMS / XPS / 膜密度 |
| （英） | 3D-IC / TSV / LT-PECVD / Diffusion barrier / BS-SIMS / XPS / Film density / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 408, SDM2010-224, pp. 49-53, 2011年2月. | |
| 資料番号 | SDM2010-224 | |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-224 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-224 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-02-07 - 2011-02-07 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Low Temperature Bump-less TSV Process in 3D Stacking Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元IC / 3D-IC |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン貫通ビア / TSV |
| キーワード(3)（和/英） | 低温PE-CVD / LT-PECVD |
| キーワード(4)（和/英） | SiON / Diffusion barrier |
| キーワード(5)（和/英） | 拡散バリア / BS-SIMS |
| キーワード(6)（和/英） | BS-SIMS / XPS |
| キーワード(7)（和/英） | XPS / Film density |
| キーワード(8)（和/英） | 膜密度 / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北田 秀樹 / Hideki Kitada / キタダ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 展秀 / Nobuhide Maeda / マエダ ノブヒデ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤本 興治 / Koji Fujimoto / フジモト コウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大日本印刷株式会社 (略称： 大日本印刷) Dai Nippon Printing (略称： Dai Nippon Printing) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水島 賢子 / Yoriko Mizushima / ミズシマ ヨリコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Laboratories Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 義弘 / Yoshihiro Nakata / ナカタ ヨシヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Laboratories Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Laboratories Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大場 隆之 / Takayuki Ohba / オオバ タカユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-02-07 15:25:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-224 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.408 |
| ページ範囲 | pp.49-53 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) |
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