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講演抄録/キーワード
講演名 2011-02-23 16:30
FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究
坂井秀男慶大)・大内真一松川 貴遠藤和彦柳 永勲塚田順一石川由紀中川 格関川敏弘小池帆平坂本邦博昌原明植産総研)・石黒仁揮慶大ED2010-198 SDM2010-233 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-198 SDM2010-233
抄録 (和) 近年、FinFETがMOSFETに代わる優秀なトランジスタとして、各研究機関で研究されている。しかし、FinFETを搭載したRF回路の研究は進んでいない。RF回路の研究が進まない理由として、3D構造であるFinFETのシミュレーションモデル作成が、難しいことがある。高周波に於けるFinFETの正確なシミュレーションモデルを作成するには、IntrinsicなFinFETの特性を正確に把握することが必要である。しかし、FinFETのIntrinsic Part の実測は難しい。現在作製されているFinFETはFinチャネル幅に比べて、コンタクトを設置する為の広いゲート・ドレイン・ソース領域を必要とする。ゲート・ドレイン・ソース領域の寄生容量がFinFETのIntrinsic Partの寄生容量に比べ支配的な為、通常の高周波測定と、コンタクトを利用する校正ではFinFETのIntrinsic Partの特性を測定できない。この理由から、RF回路設計で必須となる、精度の高いFinFETのシミュレーションモデルが作成できなかった。本稿では、FinFETのIntrinsic Partに寄生する容量を抽出する為に、特殊な校正パターンを提案し、実際に測定を行った。さらに、AISTのXMOSモデルを使用したシミュレーション結果とFinFETのIntrinsic Partの抽出結果を比較し、RF回路設計に適切なモデルか検討を行った。 
(英) In recent years, different research groups have been focusing on FinFET transistor research as an excellent replacement for MOSFET transistor. However, FinFET application in RF circuitry has yet made progress. The main reason of such situation is the difficulty of making a simulation model of the 3D FinFET architecture. The 3D architecture introduces parasitics which are far more complicated than the current planar MOSFET. Even for experienced analog designer, it is a big challenge to determine the precise parasitic values based on experience and calculation. Recognizing intrinsic FinFET characteristics is necessary to establish an accurate high-frequency simulation model. On the other hand, experimental measurement of the FinFET’s intrinsic parts is difficult. Currently, the fabricated Fin Channels of the FinFET are smaller in comparison to area used to set up the contact holes in FinFET, thus introducing large parasitic around gate, drain, and source. Furthermore, parasitics introduced by gate, drain and source are much more dominant than parasitics of the intrinsic part, making it impossible to extract the FinFET’s Intrinsic characteristic during conventional frequency characteristic measurement. Due to the reason stated before, a highly accurate FinFET simulation model which is important for RF circuit design cannot be developed.
In this work, calibration patterns which can set the reference surface just beside the intrinsic Fin channel is proposed for precise extraction of FinFET’s intrinsic part, and its experimental measurement is done. Furthermore, AIST’s XMOS based simulation result and the extracted intrinsic part characteristic is compared, and its suitability for RF circuit design is discussed.
キーワード (和) FinFET / XMOS / AIST / S-parameter / RF Circuit / / /  
(英) FinFET / XMOS / AIST / S-parameter / RF Circuit / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 424, SDM2010-233, pp. 37-42, 2011年2月.
資料番号 SDM2010-233 
発行日 2011-02-16 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-198 SDM2010-233 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-198 SDM2010-233

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2011-02-23 - 2011-02-24 
開催地(和) 北海道大学 百年記念会館 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイス及び関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Study on Precise FinFET High Frequency Characteristic Evaluation Method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FinFET / FinFET  
キーワード(2)(和/英) XMOS / XMOS  
キーワード(3)(和/英) AIST / AIST  
キーワード(4)(和/英) S-parameter / S-parameter  
キーワード(5)(和/英) RF Circuit / RF Circuit  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂井 秀男 / Hideo Sakai / サカイ ヒデオ
第1著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大内 真一 / Shinichi Ouchi / オオウチ シンイチ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳 永勲 / Yongxun Liu / リュウ ユウシュン
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚田 順一 / Junichi Tsukada / ツカダ ジュンイチ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 由紀 / Yuki Ishikawa / イシカワ ユキ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 格 / Tadashi Nakagawa / ナカガワ タダシ
第8著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 関川 敏弘 / Toshihiro Sekigawa / セキガワ トシヒロ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 帆平 / Hanpei Koike / コイケ ハンペイ
第10著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂本 邦博 / Kunihiro Sakamoto / サカモト クニヒロ
第11著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 昌原 明植 / Meishoku Masahara / マサハラ メイショク
第12著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 仁揮 / Hiroki Ishikuro / イシクロ ヒロキ
第13著者 所属(和/英) 慶應義塾大学 (略称: 慶大)
Keio University (略称: Keio Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-02-23 16:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2010-198, SDM2010-233 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.423(ED), no.424(SDM) 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2011-02-16 (ED, SDM) 


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