講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-02-24 11:35
単一電子を利用した確率共鳴 ○西口克彦・藤原 聡(NTT) ED2010-205 SDM2010-240 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-205 SDM2010-240 |
抄録 |
(和) |
シリコンMOSFETに流れる単一電子を利用した確率共鳴について報告する.ナノ・スケールMOSFETに微小信号を入力すると、入力信号に応じて電荷ノードに電子が蓄積される.一方,個々の電子はランダムなタイミングでMOSFETを流れ、これはショット・ノイズに相当する.この蓄積電子を高感度電荷計を用いてカウントし,出力信号として利用する.外部からノイズを印加することで入力信号と出力信号の相関が改善される確率共鳴現象を確認し,内因的なショット・ノイズでも同様の現象が認められた.ショット・ノイズを利用することでシンプルな構造で高速な確率共鳴現象が実現できることを示すとともに,この特徴を画像修復への応用に利用できることを確認した. |
(英) |
We demonstrate stochastic resonance (SR) with single electrons (SEs) using nanoscale metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Input signal applied to a MOSFET modulates SE transport in an average manner based on non-linear characteristics. On the other hand, an individual SE goes through the MOSFET in a completely random manner, which corresponds to shot noise. SEs transferred to a storage node are counted precisely by the other MOSFET and used as an output signal. The correlation between the input and output signals is improved by taking advantage of extrinsic noise as well as the intrinsic shot noise composed of SEs. It is confirmed that the shot-noise-assisted SR allows fast operation with a simple system. Pattern perception utilizing SR is also demonstrated. |
キーワード |
(和) |
確率共鳴 / 単一電子 / シリコンMOSFET / ショット・ノイズ / / / / |
(英) |
stochastic resonance / single electron / Si MOSFET / shot noise / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 423, ED2010-205, pp. 73-77, 2011年2月. |
資料番号 |
ED2010-205 |
発行日 |
2011-02-16 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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