お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2011-02-24 11:35
単一電子を利用した確率共鳴
西口克彦藤原 聡NTTED2010-205 SDM2010-240 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-205 SDM2010-240
抄録 (和) シリコンMOSFETに流れる単一電子を利用した確率共鳴について報告する.ナノ・スケールMOSFETに微小信号を入力すると、入力信号に応じて電荷ノードに電子が蓄積される.一方,個々の電子はランダムなタイミングでMOSFETを流れ、これはショット・ノイズに相当する.この蓄積電子を高感度電荷計を用いてカウントし,出力信号として利用する.外部からノイズを印加することで入力信号と出力信号の相関が改善される確率共鳴現象を確認し,内因的なショット・ノイズでも同様の現象が認められた.ショット・ノイズを利用することでシンプルな構造で高速な確率共鳴現象が実現できることを示すとともに,この特徴を画像修復への応用に利用できることを確認した. 
(英) We demonstrate stochastic resonance (SR) with single electrons (SEs) using nanoscale metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Input signal applied to a MOSFET modulates SE transport in an average manner based on non-linear characteristics. On the other hand, an individual SE goes through the MOSFET in a completely random manner, which corresponds to shot noise. SEs transferred to a storage node are counted precisely by the other MOSFET and used as an output signal. The correlation between the input and output signals is improved by taking advantage of extrinsic noise as well as the intrinsic shot noise composed of SEs. It is confirmed that the shot-noise-assisted SR allows fast operation with a simple system. Pattern perception utilizing SR is also demonstrated.
キーワード (和) 確率共鳴 / 単一電子 / シリコンMOSFET / ショット・ノイズ / / / /  
(英) stochastic resonance / single electron / Si MOSFET / shot noise / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 423, ED2010-205, pp. 73-77, 2011年2月.
資料番号 ED2010-205 
発行日 2011-02-16 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2010-205 SDM2010-240 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-205 SDM2010-240

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2011-02-23 - 2011-02-24 
開催地(和) 北海道大学 百年記念会館 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイス及び関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2011-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単一電子を利用した確率共鳴 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Stochastic resonance using single electrons 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 確率共鳴 / stochastic resonance  
キーワード(2)(和/英) 単一電子 / single electron  
キーワード(3)(和/英) シリコンMOSFET / Si MOSFET  
キーワード(4)(和/英) ショット・ノイズ / shot noise  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西口 克彦 / Katsuhiko Nishiguchi / ニシグチ カツヒコ
第1著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ
第2著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2011-02-24 11:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-205, SDM2010-240 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.423(ED), no.424(SDM) 
ページ範囲 pp.73-77 
ページ数
発行日 2011-02-16 (ED, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会