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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-02-24 11:10 Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination ○Arief Udhiarto・Daniel Moraru・Ryusuke Nakamura・Takeshi Mizuno・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）  ED2010-204 SDM2010-239 |
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| 抄録 | （和） | あらまし 私たちは連続光照射がSOI電界効果トランジスタ(SOI-FETs)における量子ドットを介した単電子輸送に与える効果を調べる。 ドナーをドープしたチャンネルでは、個々のドナーを介した単電子トンネリングによって電流が流れる。 光照射下では、電流はランダムテレグラフシグナル、すなわち断続的な信号となる。 また、光強度の依存性などから、この電流の切り替わりはチャネル中でのフォトン吸収によるものと考えられる。 |
| （英） | We investigate the effects of continuous light illumination on single-electron transport via quantum dots in silicon-on-insulator field-effect transistors (SOI-FETs). In doped-channel FETs, current flows by single-electron tunneling via an individual donor. Under light, the current exhibits intermittency, observed as random telegraph switching (RTS). The number of current steps increases proportionally with the incident photon flux. The current intermittency is ascribed to be trapping and detrapping of a photo-generated electron in a single donor in the channel based on its dependence on light intensity and temperature. | |
| キーワード | （和） | シンゲルドナー / 光子 / 単電子トランジスタ / / / / / |
| （英） | single donor / photon / single electron transistor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 423, ED2010-204, pp. 67-72, 2011年2月. | |
| 資料番号 | ED2010-204 | |
| 発行日 | 2011-02-16 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-204 SDM2010-239 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2011-02-23 - 2011-02-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイス及び関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Intermittency in SOI-FETs under Light Illumination |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シンゲルドナー / single donor |
| キーワード(2)（和/英） | 光子 / photon |
| キーワード(3)（和/英） | 単電子トランジスタ / single electron transistor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ウディアルト アリエフ / Arief Udhiarto / |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | モラル ダニエル / Daniel Moraru / |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 竜輔 / Ryusuke Nakamura / |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水野 武志 / Takeshi Mizuno / |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田部 道晴 / Michiharu Tabe / |
| 第5著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-02-24 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-204, SDM2010-239 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.423(ED), no.424(SDM) |
| ページ範囲 | pp.67-72 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-02-16 (ED, SDM) |
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