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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-19 16:15 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 ○田中隼人・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大）  ICD2011-20 |
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| 抄録 | （和） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM)は, 次世代不揮発性メモリとして期待されている. ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵抗から高抵抗へのスイッチング)電流Iresetの制御が重要な課題となっている. セット(高抵抗から低抵抗へのスイッチング)時のコンプライアンス電流Icompを下げることでIresetが低減することが知られているが, Icompを一定値に保った場合にもIresetはある程度のばらつきを示す. 現状では, IcompによるIreset制御がIreset低減の唯一の手段であり, Icompとは無関係に生じるIresetのばらつきの起源を明らかにする必要がある. 本研究により, Ireset のばらつきはセット電圧のばらつきに起因することが示された. 更に, セット電圧及びそのばらつきの素子サイズ依存性を明らかし, それを基にセット電圧のばらつきを説明するモデルを提案した. |
| （英） | Resistive Random Access Memory (ReRAM) is attracting attention as a non-volatile memory for the next generation. The control of reset current is crucial from the standpoint of a practical use, where reset means resistive switching from low to high resistance states. It was reported that the reset current could be decreased by decreasing the compliance current which was imposed for the set process, where set means resistive switching from high to low resistance states. However, even if compliance current is kept at a fixed value, reset current shows the dispersion to some degree. In this study, it was suggested that dispersion of reset current originated in the dispersion of set voltage. A model which explains the dispersion was proposed based on the size dependence of the set voltage and its dispersion. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化メモリ / NiO / 絶縁破壊 / 酸素欠損 / ばらつき / サイズ依存 / / |
| （英） | ReRAM / NiO / breakdown / oxygen defec / dispersion / size dependence / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-20, pp. 111-116, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-20 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analyses on Co-relation between Low and High Resistance States in ReRAM Consisting of Binary-Transition-Metal-Oxides |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | NiO / NiO |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁破壊 / breakdown |
| キーワード(4)（和/英） | 酸素欠損 / oxygen defec |
| キーワード(5)（和/英） | ばらつき / dispersion |
| キーワード(6)（和/英） | サイズ依存 / size dependence |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 隼人 / Hayato Tanaka / タナカ ハヤト |
| 第1著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鳥取大学 /鳥取大学電子ディスプレイ研究センター (略称： 鳥取大) Tottori University/ Tottori Univ. Electronic Display Research Center (略称： Tottori Univ./TEDREC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル |
| 第3著者 所属（和/英） | 鳥取大学 /鳥取大学電子ディスプレイ研究センター (略称： 鳥取大) Tottori University/ Tottori Univ. Electronic Display Research Center (略称： Tottori Univ./TEDREC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-19 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-20 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.111-116 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
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