講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-04-19 14:25
[依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討 ○畑中輝義・上口 光・石田光一・安福 正・高宮 真・桜井貴康・竹内 健(東大) ICD2011-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-16 |
抄録 |
(和) |
3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(3D-SSD)向けに、書き込み電圧(20V)発生回路とTSVによる配線について議論し、高速・低消費電力の電源システムを提案する。NANDチャネル数検出回路により昇圧中のNANDチップ数(NANDチャネル数)の変動を検出し、ブーストコンバータのスイッチングクロックのON時間/OFF時間をNANDチップ数に応じて最適値に自動的に変更する。これにより、24チップ並列書き込み動作を行ない、従来に比べてSSD書き込み速度を60%高速化し、4.2GbpsのSSD書き込み速度を実現できる。消費エネルギーも最大で32%削減することができる。また、電源回路とNANDチップとの配線にCu-TSVを用いることで、24チップ以上の積層が可能であることを見積もった。 |
(英) |
A design of high speed and low power high-voltage generator system that includes a program-voltage (20V) booster and TSV is proposed. The number of NAND flash channel is detected by a NAND flash channel number detector. Based on the detected NAND flash channel number, the switching clock of the booster is dynamically optimized. The SSD write speed increases by 60% and the fastest ever 4.2Gbps 3D-SSD is realized. The energy consumption of the booster decreases by 32%. From the simulation results, Cu-TSV technology can realize the proposed 3D-SSD with 24 NAND flash memory chips. |
キーワード |
(和) |
ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリ / ブーストコンバータ / TSV / / / / |
(英) |
Solid-State Drive / NAND flash memory / Boost converter / TSV / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-16, pp. 87-92, 2011年4月. |
資料番号 |
ICD2011-16 |
発行日 |
2011-04-11 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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