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講演抄録/キーワード
講演名 2011-04-19 14:25
[依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討
畑中輝義上口 光石田光一安福 正高宮 真桜井貴康竹内 健東大ICD2011-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-16
抄録 (和) 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(3D-SSD)向けに、書き込み電圧(20V)発生回路とTSVによる配線について議論し、高速・低消費電力の電源システムを提案する。NANDチャネル数検出回路により昇圧中のNANDチップ数(NANDチャネル数)の変動を検出し、ブーストコンバータのスイッチングクロックのON時間/OFF時間をNANDチップ数に応じて最適値に自動的に変更する。これにより、24チップ並列書き込み動作を行ない、従来に比べてSSD書き込み速度を60%高速化し、4.2GbpsのSSD書き込み速度を実現できる。消費エネルギーも最大で32%削減することができる。また、電源回路とNANDチップとの配線にCu-TSVを用いることで、24チップ以上の積層が可能であることを見積もった。 
(英) A design of high speed and low power high-voltage generator system that includes a program-voltage (20V) booster and TSV is proposed. The number of NAND flash channel is detected by a NAND flash channel number detector. Based on the detected NAND flash channel number, the switching clock of the booster is dynamically optimized. The SSD write speed increases by 60% and the fastest ever 4.2Gbps 3D-SSD is realized. The energy consumption of the booster decreases by 32%. From the simulation results, Cu-TSV technology can realize the proposed 3D-SSD with 24 NAND flash memory chips.
キーワード (和) ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリ / ブーストコンバータ / TSV / / / /  
(英) Solid-State Drive / NAND flash memory / Boost converter / TSV / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-16, pp. 87-92, 2011年4月.
資料番号 ICD2011-16 
発行日 2011-04-11 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2011-16 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-16

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2011-04-18 - 2011-04-19 
開催地(和) 神戸大学 瀧川記念館 
開催地(英) Kobe University Takigawa Memorial Hall 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2011-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) [依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of Program-voltage(20V) Booster and TSV for High Speed and Low Power 3-D Solid State Drive System 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ソリッド・ステート・ドライブ / Solid-State Drive  
キーワード(2)(和/英) NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory  
キーワード(3)(和/英) ブーストコンバータ / Boost converter  
キーワード(4)(和/英) TSV / TSV  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑中 輝義 / Teruyoshi Hatanaka / ハタナカ テルヨシ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 光一 / Koichi Ishida / イシダ コウイチ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安福 正 / Tadashi Yasufuku / ヤスフク タダシ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高宮 真 / Makoto Takamiya / タカミヤ マコト
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 桜井 貴康 / Takayasu Sakurai / サクライ タカヤス
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-04-19 14:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2011-16 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.87-92 
ページ数
発行日 2011-04-11 (ICD) 


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