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| 講演名 | 2011-04-19 15:50 ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム ○花田明紘・木下健太郎・松原勝彦・福原貴博・岸田 悟（鳥取大）  ICD2011-19 |
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| 抄録 | （和） | 我々は銅酸化物高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi-2212)バルク単結晶を用いて, Al / Bi-2212 / Pt とPt / Bi-2212 / Ptの抵抗変化型メモリ(ReRAM) 構造を作製し, メモリ特性と超伝導特性の両方を評価した. メモリ効果はAl / Bi-2212 / Pt構造のみで確認された. Al / Bi-2212 / Pt構造にアニール処理を施すことで超伝導臨界温度が低下し, メモリ効果が促進された. Bi-2212単結晶の大きな異方性を利用することによって, メモリ効果がAlとBi-2212の界面で生じることが明らかになった. これにより, メモリ効果の発現には低ギブズエネルギーの金属をBi-2212単結晶上に堆積させ, Bi-2212から金属へ酸素の移動を生じさせるのに必要な活性化エネルギーに相当する温度まで加熱することでBi-2212内に酸素欠乏層を導入することが有効であることが示された. これらの結果を基に, ペロブスカイト酸化物系ReRAMの抵抗スイッチングモデルを提案し, ペロブスカイト酸化物系ReRAMの設計指針を与えた. |
| （英） | We prepared resistive random access memory (ReRAM) structures of Al / Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212) bulk single crystal / Pt and Pt / Bi-2212 bulk single crystal / Pt, and evaluated both memory and superconducting properties. The memory effect was confirmed only in the former and was enhanced with decreasing critical temperature by annealing the sample. Taking advantage of the large anisotropy of Bi-2212 single crystals, it was clarified that the memory effect occurred at the boundary between Al and Bi-2212. This showed that the introduction of oxygen-depleted layer to the Bi-2212 was required for the development of the memory effect. And, this could be achieved by depositing an electrode with low Gibbs free energy on the Bi-2212 and heating it to the temperature corresponding to the activation energy which generates oxygen movement from Bi-2212 to the electrode. The model which explains the resistance switching of perovskite-oxide-based-ReRAM was proposed based on the results. This provides the guideline for selecting oxide and electrode materials of perovskite-oxide-based-ReRAM. | |
| キーワード | （和） | ReRAM / ペロブスカイト酸化物 / Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212)単結晶 / 動作機構 / ギブズエネルギー / / / |
| （英） | ReRAM / perovskite oxide / Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212) single crystal / switching mechanism / Gibbs free energy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-19, pp. 105-109, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-19 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Switching Mechanism of Perovskite-Oxide-Based Resistive Random Access Memory (ReRAM) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ペロブスカイト酸化物 / perovskite oxide |
| キーワード(3)（和/英） | Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212)単結晶 / Bi2Sr2CaCu2O8+δ (Bi-2212) single crystal |
| キーワード(4)（和/英） | 動作機構 / switching mechanism |
| キーワード(5)（和/英） | ギブズエネルギー / Gibbs free energy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 花田 明紘 / Akihiro Hanada / ハナダ アキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鳥取大学/鳥取大学電子ディスプレイ研究センター (略称： 鳥取大) Tottori University/Tottori University Electronic Display Research Center (TEDREC) (略称： Tottori Univ./TEDREC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 勝彦 / Katsuhiko Matsubara / マツバラ カツヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福原 貴博 / Takahiro Fukuhara / フクハラ タカヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 鳥取大学 (略称： 鳥取大) Tottori University (略称： Tottori Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 鳥取大学/鳥取大学電子ディスプレイ研究センター (略称： 鳥取大) Tottori University/Tottori University Electronic Display Research Center (TEDREC) (略称： Tottori Univ./TEDREC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-19 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-19 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.105-109 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
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