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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 13:00 アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 ○内山翔太・林 家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥（名城大）  ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 |
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| 抄録 | （和） | アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保ち、?/?比を5～1000範囲で変化させると、選択成長したGaN層の形状が大きく変化した。?/?比が低いときは切り立った{11-20}面が側面に形成されるが、?/?比が大きくなると側面に{11-22}斜面が形成し、成長層の平坦化が進んだ。GaN層の成長形状が?/?比に強く依存するのは、結晶面の表面エネルギーが?/?比により大きく変化するためである。次に、マスクに作製した線状の開口（マイクロチャンネル）と垂直方向から、なおかつ、基板に低角に分子線を供給することにより、低角入射マイクロチャネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなった。?/?比は40と固定し、成長温度を750℃～860℃の範囲で変化させることにより、横方向成長に適する条件を検討した。その結果、マスク上に約5.9μm伸びた横方向成長層を得ることに成功した。 |
| （英） | Selective growth of GaN was performed using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy. Growth temperature was fixed at 860℃ and V/III ratio was changed from 5 to 1000. As a result, the shape of the grown layer was greatly transformed by the change of V/III ratio. While the side facets of｛11-20｝were observed at low V/III ratio, the side facets of｛11-22｝was appeared at high V/III ratio and a flat layer was grown at V/III ratio of 1000. It is because the surface energy of these facets was largely changed by the change of the V/III ratio. Low angle incidence microchannel epitaxy (LAIMCE) was also performed with supplying the molecular beams in low angle and vertical to the microchannel. V/III rate was fixed 40 and growth temperature was changed from 750℃ to 860℃. After optimizing the growth conditions, the GaN LAIMCE layer with 5.9μm-wide lateral growth was successfully obtained. | |
| キーワード | （和） | GaN / MOMBE / 横方向成長 / 選択成長 / ファセット / LAIMCE / / |
| （英） | GaN / MOMBE / lateral overgrowth / selective growth / facets / LAIMCE / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-15, pp. 39-43, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-15 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral overgrowth of GaN by ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOMBE / MOMBE |
| キーワード(3)（和/英） | 横方向成長 / lateral overgrowth |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selective growth |
| キーワード(5)（和/英） | ファセット / facets |
| キーワード(6)（和/英） | LAIMCE / LAIMCE |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内山 翔太 / Shota Uchiyama / ウチヤマ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 家弘 / Chia-Hung Lin / リン チャンホン |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阿部 亮太 / Ryota Abe / アベ リョウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 隆浩 / Takahiro Maruyama / マルヤマ タカヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成塚 重弥 / Shigeya Naritsuka / ナリツカ シゲヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2011-8, CPM2011-15, SDM2011-21 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.39-43 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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