講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-05-19 13:00
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長 ○内山翔太・林 家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥(名城大) ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21 |
抄録 |
(和) |
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保ち、?/?比を5~1000範囲で変化させると、選択成長したGaN層の形状が大きく変化した。?/?比が低いときは切り立った{11-20}面が側面に形成されるが、?/?比が大きくなると側面に{11-22}斜面が形成し、成長層の平坦化が進んだ。GaN層の成長形状が?/?比に強く依存するのは、結晶面の表面エネルギーが?/?比により大きく変化するためである。次に、マスクに作製した線状の開口(マイクロチャンネル)と垂直方向から、なおかつ、基板に低角に分子線を供給することにより、低角入射マイクロチャネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなった。?/?比は40と固定し、成長温度を750℃~860℃の範囲で変化させることにより、横方向成長に適する条件を検討した。その結果、マスク上に約5.9μm伸びた横方向成長層を得ることに成功した。 |
(英) |
Selective growth of GaN was performed using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy. Growth temperature was fixed at 860℃ and V/III ratio was changed from 5 to 1000. As a result, the shape of the grown layer was greatly transformed by the change of V/III ratio. While the side facets of{11-20}were observed at low V/III ratio, the side facets of{11-22}was appeared at high V/III ratio and a flat layer was grown at V/III ratio of 1000. It is because the surface energy of these facets was largely changed by the change of the V/III ratio. Low angle incidence microchannel epitaxy (LAIMCE) was also performed with supplying the molecular beams in low angle and vertical to the microchannel. V/III rate was fixed 40 and growth temperature was changed from 750℃ to 860℃. After optimizing the growth conditions, the GaN LAIMCE layer with 5.9μm-wide lateral growth was successfully obtained. |
キーワード |
(和) |
GaN / MOMBE / 横方向成長 / 選択成長 / ファセット / LAIMCE / / |
(英) |
GaN / MOMBE / lateral overgrowth / selective growth / facets / LAIMCE / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-15, pp. 39-43, 2011年5月. |
資料番号 |
CPM2011-15 |
発行日 |
2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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