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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 13:25 RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 ○田畑拓也・白 知鉉・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）  ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 |
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| 抄録 | （和） | 従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想される。本研究では、RF-MBE法により(111)Si基板上にIn/(In + Ga)フラックス比および成長温度を変化させてInGaNナノワイヤの成長を行った。成長温度を固定した場合、Inフラックス比が大きくなるほどナノワイヤにおけるIn組成の増大とともにフォトルミネッセンス(PL)ピーク波長は長波長側へシフトした。また、成長温度が高くなるにつれて、PLピーク波長は短波長側へシフトし、PL強度は大きくなった。これは成長温度が高くなるにつれてInの脱離が多くなったこと、およびInGaNナノワイヤの結晶性が向上したことが原因として考えられる。しかし、PLスペクトルの温度依存性からInGaNナノワイヤの内部量子効率を見積もると18%程度であった。これはSTEM像において確認された積層欠陥が原因の1つに挙げられる。 |
| （英） | InGaN nanowires (NWs) are expected to have a good property with visible long wavelength range. In this study, we attempted to grow InGaN NWs on a (111)Si substrate by RF-MBE, and the growth temperature and In flux ratio dependence of the crystalline and optical properties were investigated. At the fixed growth temperature, photoluminescence (PL) peak wavelength in InGaN NWs shifted to long wavelength side with increasing In composition. As growth temperature increased, PL intensity increased with decrease in PL peak wavelength. This result suggests that In is more easily desorbed with increasing growth temperature. We also estimated that an internal quantum efficiency (IQE) was below 18%. This unfavorable IQE is considered to be mainly due to stacking faults observed in STEM images. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤ / InGaN / RF-MBE / Si基板 / / / / |
| （英） | nanowire / InGaN / RF-MBE / Silicon substrate / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-9, pp. 45-48, 2011年5月. | |
| 資料番号 | ED2011-9 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InGaN nanowires on a (111)Si substrate by RF-MBE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(3)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板 / Silicon substrate |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田畑 拓也 / Takuya Tabata / タバタ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白 知鉉 / Ji-Hyun Paek / ペク ジヒュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi / ヤマグチ マサヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-9, CPM2011-16, SDM2011-22 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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