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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 15:40 グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 ○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）  ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 |
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| 抄録 | （和） | グラファイトは軽量かつ熱伝導性に優れており、窒化物半導体の下地基板に用いると様々なデバイス応用が期待できることから、近年グラファイト上への窒化物半導体の成長が研究されている。今回、グラファイト基板表面にO2プラズマ照射を行うことによって、有機金属気相成長(MOCVD)法を用いたGaN薄膜の成長に成功したので報告する。第一原理計算により、グラファイトの(0001)面上には原子の吸着が難しく、その側面に相当するサイトに吸着し易いという結果を得た。この結果を元に、(0001)面の側面に相当するサイトの形成方法としてO2プラズマ照射を行ったグラファイト基板上に、MOCVD法を用いてGaNの成長を行ったところ、転位密度2×10^9/cm2とサファイア基板上GaN薄膜と同程度であることを確認した。 |
| （英） | We have successfully grown epitaxial GaN on graphite substrates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with O2 plasma treatment technique. The threading dislocation density of the obtained GaN layer is 2×10^9/cm2, which is comparable to that of GaN on sapphire substrates. We have performed the first-principles calculation to investigate adsorption energies and adsorption sites for atomic species on graphite substrates. We found by the calculation that the adsorption energies on terrace edge sites of (0001) face are lower than those on terrace sites of (0001) face. These results suggest that the formation of terrace edge sites of (0001) face by the O2 plasma treatment plays an important role to grow GaN on graphite substrates with good crystallinity. | |
| キーワード | （和） | GaN / MOCVD / グラファイト / 第一原理計算 / / / / |
| （英） | GaN / MOCVD / graphite / first-principles calculation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-21, pp. 67-70, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-21 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOCVD growth of GaN on graphite substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | グラファイト / graphite |
| キーワード(4)（和/英） | 第一原理計算 / first-principles calculation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 好田 慎一 / Shinichi Kohda / コウダ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀧澤 俊幸 / Toshiyuki Takizawa / タキザワ トシユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 宣明 / Nobuaki Nagao / ナガオ ノブアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 昌宏 / Masahiro Ishida / イシダ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corporation (略称： Panasonic) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2011-14, CPM2011-21, SDM2011-27 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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