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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 15:15 (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大）  ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 |
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| 抄録 | （和） | MOVPE 法により(1-101)GaN/Si 上にInGaN 厚膜の成長を試みた。InGaN を成長するとGaN にみられた原子ステップは消失し、三次元成長が促進されていることを確認したが、c 面によくみられるV 字ピットは現れず、10 nm 以下の平均粗さを有する平坦性の比較的優れた結晶であることが分かった。X 線逆格子マッピング測定よりInGaN 結晶の格子緩和過程を観察すると、2 段階の緩和過程が観察された。低In 組成ではコヒーレント成長していたのに対し、In 組成が増大するにつれまずc 軸方向へのチルトが見られた。これは格子不整合により界面にミスフィット転位が導入されることに起因すると思われる。In 組成が高くなるについてミスフィット転位の間隔が狭 くなりチルト角度が増大した。<11-20>方向においては面内の格子緩和のみ発生した。 |
| （英） | We demonstrated thick InGaN growth on (1-101)GaN/Si. The grown samples had relative smooth surface with RMS value of less than 10 nm. From X-ray reciprocal space mapping, InGaN layer showed incoherent growth. First, the lattice relaxation occurred by generation of misfit dislocations between InGaN/GaN interface and inclined along <0001> projection. At a high indium content, a high density of misfit dislocations was generated, resulted in a larger inclination. Along <11-20> direction, InGaN lattice relaxation only occurred along the in-plane direction. | |
| キーワード | （和） | InGaN / 半極性 / MOVPE / Si基板 / / / / |
| （英） | InGaN / semipolar / MOVPE / Si substrate / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-20, pp. 63-66, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-20 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of thick InGaN on (1-101)GaN/Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 半極性 / semipolar |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 智之 / Tomoyuki Tanikawa / タニカワ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi / ヤマグチ マサヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko Sawaki / サワキ ノブヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 (略称： 愛知工大) Aichi Institute of Technology (略称： Aichi Inst. of Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2011-13, CPM2011-20, SDM2011-26 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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