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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 13:50 Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 |
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| 抄録 | （和） | 格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用できる。そこでSi格子整合系の低屈折率混晶としてAlGaPN混晶の成長条件確立を目指し、N組成の成長温度依存性とAl組成依存性に関する知見を得た。また反射スペクトルよりAlGaPN混晶の屈折率を明らかにし、AlGaPN/GaPNの光閉じ込め構造の設計と分布ブラッグ反射鏡の試作を行った。 |
| （英） | An AlP-based dilute nitride is one of the candidates for the cladding layer of laser structure in a Si-based optoelectronic integrated circuits (OEIC). In order to design the optical confinement structure, growth properties and optical constants of AlGaPN have been investigated. Nitrogen incorporation efficiency is increased by adding Al contents, but shows small effect of the growth temperatures. A high quality AlGaPN which can be lattice matched to Si obtained at the growth temperature of 600 °C. The refractive indexes of AlGaPN with the N concentration of a few % are almost the same an AlGaP. Finally AlPN/GaPN DBR is fabricated. | |
| キーワード | （和） | 光電子集積回路 / III-V-N混晶 / GaPN / AlPN / 光閉じ込め構造 / 半導体分布ブラッグ反射鏡 / / |
| （英） | OEIC / III-V-N alloys / GaPN / AlPN / Optical confinement structure / DBR / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-10, pp. 49-54, 2011年5月. | |
| 資料番号 | ED2011-10 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Molecular beam epitaxy growth of AlGaPN alloys for optical confinement structure on Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(2)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloys |
| キーワード(3)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(4)（和/英） | AlPN / AlPN |
| キーワード(5)（和/英） | 光閉じ込め構造 / Optical confinement structure |
| キーワード(6)（和/英） | 半導体分布ブラッグ反射鏡 / DBR |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊谷 啓助 / Keisuke Kumagai / クマガイ ケイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ.Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小路 耕平 / Kohei Shoji / ショウジ コウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ.Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河合 剛 / Tsuyoshi Kawai / カワイ ツヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ.Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山根 啓輔 / Keisuke Yamane / ヤマネ ケイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ.Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ.Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ.Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ.Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-10, CPM2011-17, SDM2011-23 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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