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講演抄録/キーワード
講演名 2011-05-19 11:15
水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価
安田智成加藤正史市村正也名工大ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19
抄録 (和) 太陽光を利用した水の光分解による水素生成は次世代エネルギー技術として期待されている。水の光分解材料には半導体が用いられるが、その特性として、腐食に強く、水素生成効率が高いことが求められる。SiCは化学的に安定な物質であり、電解液による腐食に強い。さらに、SiCのポリタイプには可視光を吸収するものも存在するため、従来の金属酸化物に比べて高い水素生成効率を期待できる。そこで本研究では、SiCによる水の光分解の可能性を探るためにSiCのポリタイプである4H、6H、3Cの結晶に対して光電気化学的特性の評価を行った。その結果、全てのポリタイプで水の光分解が可能なバンド構造をしていることが判明し、さらに光電流の測定により水素生成効率を見積もった。 
(英) SiC is chemically stable material, and strong against corrosion with electrobath. In addition, because a part of polytypes of SiC can absorb visible light, high hydrogen generation efficiency can be expected compared with conventional oxide semiconductors. However, the report for SiC as a water-splitting material has been rarely found. In this study, the photoelectrochemical property of 4H, 6H, and 3C -SiC is characterized. All the polytypes have the band structure suitable for water-splitting, and we estimate hydrogen generation efficiencies from photocurrent measurements.
キーワード (和) 水の光分解 / 水素 / 光電気化学 / ポリタイプ / SiC / / /  
(英) Water splitting / Hydrogen / photoelectrochemical property / polytype / SiC / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-13, pp. 27-31, 2011年5月.
資料番号 CPM2011-13 
発行日 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19

研究会情報
研究会 CPM SDM ED  
開催期間 2011-05-19 - 2011-05-20 
開催地(和) 名古屋大学 VBL 
開催地(英) Nagoya Univ. (VBL) 
テーマ(和) 結晶成長、評価技術及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-05-CPM-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of SiC photoelectrochemical properties for water splitting 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 水の光分解 / Water splitting  
キーワード(2)(和/英) 水素 / Hydrogen  
キーワード(3)(和/英) 光電気化学 / photoelectrochemical property  
キーワード(4)(和/英) ポリタイプ / polytype  
キーワード(5)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 智成 / Tomonari Yasuda / ヤスダ トモナリ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-05-19 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2011-6, CPM2011-13, SDM2011-19 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) 
ページ範囲 pp.27-31 
ページ数
発行日 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) 


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