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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-19 09:00 電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 ○楊 凱・中島佑基・市村正也（名工大）  ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 |
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| 抄録 | （和） | CuxS薄膜を電気化学堆積法(ECD法)により作製した。pH調整剤として硫酸または乳酸を用いて堆積を行った。硫酸を用いた場合は，ITO基板上に安定した薄膜が得られなかったが，乳酸を用いた場合，Cu2.6Sの茶色の薄膜の堆積に成功した。光電気化学測定より，堆積した薄膜はｐ型半導体であり，光導電性を持つことを確認できた。次いで，CuxZnyS薄膜をECD法により堆積した。最適の条件で堆積した膜は可視光に対して高い透過率を示し，算出したバンドギャップは3.2 eVである。ｐ型伝導性と光伝導性を示したことが確認され，ｎ型のZnO薄膜とのヘテロ接合は整流性を示した。 |
| （英） | CuxS thin films were deposited by the electrochemical deposition (ECD) method on indium-tin oxide-coated (ITO) glass substrates. The pH of the solution was adjusted by sulfuric acid or lactic acid, which can act as a pH buffer. In the case of sulfuric acid, a stable thin film was not obtained, but brown Cu2.6S thin films were successfully deposited in the case of lactic acid. CuxZnyS thin films were also deposited on ITO glass substrates by ECD. The film deposited under optimum conditions exhibited a high optical transmission in the visible range, and its energy band gap was about 3.2 eV. It was confirmed that CuxZnyS showed p-type conduction and photosensitivity. We deposited the heterojunction of the CuxZnyS thin film with an n-type ZnO thin film. In a current-voltage measurement, the heterojunction showed rectification properties. | |
| キーワード | （和） | 電気化学堆積法 / CuxS / CuxZnyS / 光伝導性 / / / / |
| （英） | electrochemical deposition / CuxS / CuxZnyS / photoconductivity / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-8, pp. 1-6, 2011年5月. | |
| 資料番号 | CPM2011-8 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-1 CPM2011-8 SDM2011-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabration of CuxS and CuxZnyS thin films by the electrochemical deposition method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気化学堆積法 / electrochemical deposition |
| キーワード(2)（和/英） | CuxS / CuxS |
| キーワード(3)（和/英） | CuxZnyS / CuxZnyS |
| キーワード(4)（和/英） | 光伝導性 / photoconductivity |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楊 凱 / Kai Yang / ヨウ ガイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 佑基 / Yuki Nakashima / |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-19 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2011-1, CPM2011-8, SDM2011-14 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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