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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-20 16:40 GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大）  ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
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| 抄録 | （和） | c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GaNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラプスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN表面のデバイスでは電流コラプスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成・膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオン型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。 |
| （英） | We measured current collapse in AlGaN/GaN HFETs on an a-plane GaN substrate. Non polar HFETs are promising for realizing a high Vth and a small current collapse than c-plane HFETs. We also measured current collapse in normally off mode AlGaN/GaN JHFETs with a p-GaN gate. The large current collapse was observed in unpassivated sample, because AlGaN barrier of JHFETs was exposed to air by dry etching. On the other hand current collapse in the SiNx-passivated JHFETs is small and almost the same as that in as-grown HFETs. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / HFETｓ / 電流コラプス / 非極性 / ノーマリーオフ / GaN基板 / / |
| （英） | AlGaN/GaN / HFETs / current collapse / non-polar / normally-off / GaN substrate / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-34, pp. 175-178, 2011年5月. | |
| 資料番号 | ED2011-34 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 |
| サブタイトル（和） | 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET |
| タイトル（英） | Current collapse in GaN-based HFETs |
| サブタイトル（英） | HFETs on c- and a-GaN substrate/normally-off JHFET with p-GaN gate |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HFETｓ / HFETs |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(4)（和/英） | 非極性 / non-polar |
| キーワード(5)（和/英） | ノーマリーオフ / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 貴之 / Takayuki Sugiyama / スギヤマ タカユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi / ヤマグチ マサヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯部 康裕 / Yasuhiro Isobe / イソベ ヤスヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 押村 吉徳 / Yoshinori Oshimura / オシムラ ヨシノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第10著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今出 完 / Mamoru Imade / イマデ マモル |
| 第11著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北岡 康夫 / Yasuo Kitaoka / キタオカ ヤスオ |
| 第12著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 勇介 / Yusuke Mori / モリ ユウスケ |
| 第13著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-20 16:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-34, CPM2011-41, SDM2011-47 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.175-178 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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