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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-20 09:50 窒化物半導体トンネル接合の作製 ○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）  ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、高抵抗p型窒化物半導体に制限されない電流注入を目指して、窒化物半導体を用いたトンネル接合の検討を行った。はじめに、窒化物半導体トンネル接合逆方向における電流電圧特性を計算した。100A/cm2以上の十分な電流密度を得るためには、トンネル接合障壁幅を3nm以下にする必要があり、このために不純物濃度を5×1020cm-3以上にする必要があることがわかった。続いて、MOVPE法によりトンネル接合を介して電流注入するLEDを成長した。上記高い不純物濃度実現のためにトンネル接合形成時のMg/Ga比を増やすと、表面が荒れることがわかり、膜厚を調整することで比較的良好な表面状態が得られることがわかった。このトンネル接合を用いた電流注入によるLEDからは比較的均一な発光が得られ、20mA注入時の駆動電圧は12.5Vと高い値であった。 |
| （英） | We have investigated nitride semiconductor-based tunnel junctions for a novel current injection, not restricted with the high resistivity of the p-type GaN layers. First, the reverse current-voltage characteristics of the nitride semiconductor tunnel junctions were calculated. It seems necessary to obtain less than 3nm tunnel barriers for enough current injections (more than 100A/cm2), which also requires at least 5×1020cm-3 impurities in the tunnel junctions. Subsequently, we fabricated LED structures injected the current through the tunnel junctions by MOVPE. We found that the sample surfaces got rough as Mg/Ga ratio was increased during the growth of the tunnel junctions to achieve the high impurity concentrations mentioned above. At the same time, relatively smooth surfaces were obtained by adjusting the thicknesses of the highly doped layers. A relatively uniform light emission was then obtained from the LED with the tunnel junction, showing high driving voltage, 12V at 20mA injection. | |
| キーワード | （和） | トンネル接合 / 窒化物半導体 / Mg/Ga比 / ドーピング / / / / |
| （英） | tunnel junction / nitride semiconductors / Mg / Ga ratio / doping / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-21, pp. 105-110, 2011年5月. | |
| 資料番号 | ED2011-21 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-21 CPM2011-28 SDM2011-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒化物半導体トンネル接合の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN-based Tunnel Junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネル接合 / tunnel junction |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | Mg/Ga比 / Mg / Ga ratio |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング / doping |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加賀 充 / Mitsuru Kaga / カガ ミツル |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯田 大輔 / Daisuke Iida / イイダ ダイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北野 司 / Tsukasa Kitano / キタノ ツカサ |
| 第3著者 所属（和/英） | エルシード株式会社 (略称： エルシード) EL-SEED Corporation (略称： EL-SEED) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 浩司 / Kouji Yamashita / ヤマシタ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢木 康太 / Kouta Yagi / ヤギ コウタ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University/Nagoya University (略称： Meijo Univ/Nagoya Univ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-20 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-21, CPM2011-28, SDM2011-34 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.105-110 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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