| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-05-20 11:40
AlGaN量子井戸構造の内部量子効率 ○山本準一・伴 和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智(名城大)・赤崎 勇(名城大/名大)・天野 浩(名大) ED2011-25 CPM2011-32 SDM2011-38 |
| 抄録 |
(和) |
様々な転位密度の下地層上にAlGaN多重量子井戸(MQWs)を作製し、励起強度変化PL法による内部量子効率(IQE)の評価を行った。発光ピーク波長230 nm、250 nm、300 nmの活性層において比較を行ったところ、全てのMQWにおいて、IQEと貫通転位密度の関係は、波長に寄らずほぼ同じ依存性を示した。 |
| (英) |
We analyzed the IQE of whole-composition-range AlGaN multi-quantum wells (MQWs) on AlGaN with various dislocation densities by excitation density dependent PL measurement. IQE with an excess carrier density of 1×1018 cm-3 changes from 4 to 64% when the dislocation density changes from 6×109 to 2×108 cm-2. This trend is almost the same for DUV/UV MQWs with emission wavelength ranging from 230 to 350 nm. |
| キーワード |
(和) |
AlN / AlGaN / 内部量子効率 / / / / / |
| (英) |
AlN / AlGaN / IQE / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 45, CPM2011-32, pp. 127-130, 2011年5月. |
| 資料番号 |
CPM2011-32 |
| 発行日 |
2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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