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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-20 17:05 GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 ○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）  ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 |
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| 抄録 | （和） | ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のチャネル層にGaInN を用いることにより、高いバンドオフセットを持つこと、さらにはInN 中の伝導帯電子の有効質量が軽いことから、究極的な大電力動作可能なデバイスが期待される。さらに、AlInN は大きなバンドオフセット、及びGaInN と作製温度が近いという特長を有している。 本研究では、AlInN をバリア層に使用したAlInN/AlN/GaInN/GaN HFET 構造を作製し良好な静特性を確認した。 |
| （英） | GaInN channel heterostructure field-effect transistors (HFETs) are promising for applications involving high operation current because they spontaneously produce high-density sheet carriers and strongly confine two-dimensional electron gases (2DEGs) owing to their large conduction band offset, and the large polarization charges. HFET using an AlInN barrier layer is also promising for a lattice-matched large-bandgap barrier structure. In addition, the MOVPE growth conditions for GaInN channel and AlInN barriers are similar. Thus, the combination of these materials is expected to achieve high-performance HFETs. In this study, we report on the electrical properties of AlInN/GaInN based heterostructures fabricated on a GaN template. We also fabricated and characterized AlInN/GaInN HFETs. |
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| キーワード | （和） | AlInN / GaInN / AlN / HFET / / / / |
| （英） | AlInN / GaInN / AlN / HFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-35, pp. 179-183, 2011年5月. | |
| 資料番号 | ED2011-35 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on AlInN barrier layer of GaInN channel HFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlInN / AlInN |
| キーワード(2)（和/英） | GaInN / GaInN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 和弥 / Kazuya Ikeda / イケダ カズヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯部 康裕 / Yasuhiro Isobe / イソベ ヤスヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 一木 宏充 / Hiromichi Ikki / イッキ ヒロミチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀尾 尚史 / Naofumi Horio / ホリオ ナオフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榊原 辰幸 / Tatsuyuki Sakakibara / サカキバラ タツユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤サキ 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University/Nagoya University (略称： Meijo Univ./Nagoya Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-20 17:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-35, CPM2011-42, SDM2011-48 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.179-183 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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