講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-07-04 10:40
Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 ○大野真也・井上 慧・森本真弘・新江定憲・豊島弘明(横浜国大)・吉越章隆・寺岡有殿(原子力機構)・尾形祥一(横浜国大)・安田哲二(産総研)・田中正俊(横浜国大) SDM2011-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-54 |
抄録 |
(和) |
面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Sin+(n=1-4)の時間変化から、これらの高指数面ではSi(001)面と比較してSi2+強度が減少することが分かった。O1s状態は、低結合エネルギー成分(LBC)と高結合エネルギー成分(LBC)に成分分解される。本実験から、歪んだSi-O-Si結合中のO原子はLBCに寄与することが示唆された。 |
(英) |
The initial oxidation on high-index silicon surfaces with (113) and (120) orientations has been investigated by real-time X-ray photoemission spectroscopy. The time evolutions of the Sin+ (n=1-4) components in the Si 2p spectrum indicate that the Si2+ state is suppressed on high-index surfaces compared with Si(001). The O 1s state consists of two components, a low-binding-energy component (LBC) and a high-binding-energy component (HBC). It is suggested that the O atom in strained Si-O-Si contributes to the LBC component. |
キーワード |
(和) |
シリコン表面 / 酸化 / 実時間計測 / X線光電子分光 / 放射光 / / / |
(英) |
Si surface / oxidation / real-time monitoring / XPS / synchrotron radiation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-54, pp. 23-27, 2011年7月. |
資料番号 |
SDM2011-54 |
発行日 |
2011-06-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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