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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-04 09:00 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2011-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-50 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。800 oC、30分間の熱処理を行うことで界面準位を1.6 x 1011 cm-2eV-1まで低減することができたが、EOTの著しい増加を確認した。高温熱処理とMetal Inserted Poly-Si (MIPS)構造を組み合わせることで、La-silicate/Si界面のsilicate化反応を制御し、良好な界面特性を維持したまま大幅なEOT薄膜化に成功した。さらに直接接合La-silicate/Si構造を用いてEOT0.62nmのnMOSFETを実現し、実効電界1MV/cmにおいて155cm2/VsecというHf系絶縁膜に匹敵する実効電子移動度を示した。 |
| （英） | This paper reports our experimental study for further EOT scaling with small interface state density based on controlling direct contact La-silicate/Si interface. The interface state density of 1.6 x 1011 cm-2eV-1 can be achieved by annealing at 800 oC for 30min in forming gas while significant increase in EOT has been also observed. Increase in EOT caused by high temperature annealing has been drastically inhibited by Metal Inserted Poly-Si (MIPS) stacks with high quality interface. The effective electron mobility of 155 cm2/Vsec at 1MV/cm with an EOT of 0.62 nm has been achieved in direct contact La-silicate/Si structure by combination of MIPS stacks with high temperature annealing. | |
| キーワード | （和） | EOT / high-k / 希土類酸化物 / silicate / 界面特性 / 実効移動度 / / |
| （英） | EOT / high-k / rare earth oxide / silicate / interfacial property / effective mobility / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-50, pp. 1-5, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-50 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Temperature Annealing with MIPS Structure for Improving Interfacial Property at La-silicate/Si Interface and Achieving Scaled EOT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | EOT / EOT |
| キーワード(2)（和/英） | high-k / high-k |
| キーワード(3)（和/英） | 希土類酸化物 / rare earth oxide |
| キーワード(4)（和/英） | silicate / silicate |
| キーワード(5)（和/英） | 界面特性 / interfacial property |
| キーワード(6)（和/英） | 実効移動度 / effective mobility |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川那子 高暢 / Takamasa Kawanago / カワナゴ タカマサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Parhat Ahmet / Parhat Ahmet / パールハット アヘメト |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 彰 / Akira Nishiyama / ニシヤマ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 09:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-50 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
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