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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-29 16:35 フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング ○北林佑太・望月雅矢・石川史太郎・近藤正彦（阪大）  ED2011-44 |
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| 抄録 | （和） | 本研究ではフォトニック結晶作製を目的とした，Cl$_2$/BCl$_3$/CH$_4$を用いた高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチングをについて調べた．高Al組成AlGaAsにおいては，AlO$_x$の堆積によりエッチングレートが低下する．BCl$_x$は還元作用により堆積したAlO$_x$を除去する効果がある．CH$_4$は重合膜を作るため，側壁保護効果をもつ．パターンサイズの影響を調べると，AlO$_x$の堆積に起因した逆RIE ラグが観測された．一方，パターンサイズが小さい場合には，この影響は限定的であることを確認した．この結果から，空孔直径110nm，アスペクト比8のフォトニック結晶構造を作製することに成功した． |
| （英） | We investigate inductively coupled plasma deep dry etching of Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As for photonic crystal（PC）fabrication using Cl$_2$/BCl$_3$/CH$_4$ chemistry. Characteristic AlO$_x$ deposition is observed at etching, resulting in the reduction of the etching rate. BCl$_3$ is considered to scavenge the deposited AlO$_x$ by its reductive reaction. CH$_4$ make polymer, having a effect of side wall protection. Concerning the impact of pattern size, pronounced inverse RIE lag is observed, which is beneficial for the small size PC fabrication typically having its holes diameter of several hundred nm. From the findings, we successfully fabricate PCs structure with the air holes having its aspect ratio of 8 having its diameter 110 nm. |
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| キーワード | （和） | 誘導結合型プラズマエッチング / 高Al組成AlGaAs / フォトニック結晶 / 逆RIEラグ / / / / |
| （英） | Inductively coupled plasma etching / Al-rich AlGaAs / Photonic crystal / inverse RIE lag / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-44, pp. 35-39, 2011年7月. | |
| 資料番号 | ED2011-44 | |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-07-29 - 2011-07-30 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター |
| 開催地（英） | Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Inductively coupled plasma etching of Al-rich AlGaAs for Photonic Crystal Fabrication |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 誘導結合型プラズマエッチング / Inductively coupled plasma etching |
| キーワード(2)（和/英） | 高Al組成AlGaAs / Al-rich AlGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(4)（和/英） | 逆RIEラグ / inverse RIE lag |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北林 佑太 / Yuta Kitabayashi / キタバヤシ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 雅矢 / Masaya Mochizuki / モチヅキ マサヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 史太郎 / Fumitaro Ishikawa / イシカワ フミタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 正彦 / Masahiko Kondow / コンドウ マサヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-29 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-44 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.167 |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) |
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