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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-30 14:45 高In組成InGaAsInAlAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析 赤堀誠志・片山智之・森本幸作・岩瀬比宇麻・○山田省二（北陸先端大）  ED2011-57 |
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| 抄録 | （和） | 高In組成 InGaAs/InAlAsヘテロ接合では強いRashba型（構造依存の）スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス（2DEG）が形成される．本報告では，そのような2DEGを近接して2層形成した幅広量子井戸試料を初めて作製し，温度変化磁気抵抗解析により、サブバンド（電子層）毎の電子濃度，電子有効質量，さらにはスピン軌道結合定数の評価に成功したことを報告する．その結果、この2層系の試料でも1層系に匹敵する高電子移動度と強いスピン軌道相互作用（極低温）が確認された。また、それらのパラメータの2DEG層間距離依存性において、層間相互作用を示唆する結果も得られている。これらの成果は新しい半導体スピン工学デバイスの提案・開発に繋がるものである。 |
| （英） | In high In-content InGaAs/InAlAs hetero-junctions, two-dimensional electron gas (2DEG) with strong Rashba type (structure induced) spin-orbit (SO) interaction can be formed. We have for the first time grown the wide well samples in which the 2DEGs are formed at both the well interfaces and succeeded to estimate sheet electron density, electron effective mass and SO coupling constant for each 2DEG layer (sub-band) by temperature dependent magneto-resistance analysis. As a result, transport properties as well as SO interaction comparable to those in the single layer 2DEG samples are confirmed. Moreover, some results suggesting the interaction between the upper and lower 2DEGs are obtained. | |
| キーワード | （和） | 高In組成 InGaAs/InAlAsヘテロ接合 / Rashba型スピン軌道相互作用 / 温度変化磁気抵抗解析 / / / / / |
| （英） | high In-content InGaAs/InAlAs hetero-junctions / Rashba type (structure induced) spin-orbit (SO) interaction / temperature dependent magneto-resistance analysis / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-57, pp. 103-108, 2011年7月. | |
| 資料番号 | ED2011-57 | |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-07-29 - 2011-07-30 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター |
| 開催地（英） | Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高In組成InGaAsInAlAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Sub-band structure and spin-orbit interaction analysis in two-dimensional electron gas bi-layer system in high In-content InGaAs/InAlAs hetero-structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高In組成 InGaAs/InAlAsヘテロ接合 / high In-content InGaAs/InAlAs hetero-junctions |
| キーワード(2)（和/英） | Rashba型スピン軌道相互作用 / Rashba type (structure induced) spin-orbit (SO) interaction |
| キーワード(3)（和/英） | 温度変化磁気抵抗解析 / temperature dependent magneto-resistance analysis |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤堀 誠志 / Masashi Akabori / アカボリ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端大ナノセンター (略称： 北陸先端大) CNMT JAIST (略称： CNMT JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 智之 / Tomoyuki Katayama / カタヤマ トモユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北陸先端大ナノセンター (略称： 北陸先端大) CNMT JAIST (略称： CNMT JAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 幸作 / Kosaku Moromoto / モリモト コウサク |
| 第3著者 所属（和/英） | 北陸先端大ナノセンター (略称： 北陸先端大) CNMT JAIST (略称： CNMT JAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩瀬 比宇麻 / Hiuma Iwase / イワセ ヒウマ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北陸先端大ナノセンター (略称： 北陸先端大) CNMT JAIST (略称： CNMT JAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 省二 / Syoji Yamada / ヤマダ ショウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北陸先端大ナノセンター (略称： 北陸先端大) CNMT JAIST (略称： CNMT JAIST) |
| 講演者 | 第5著者 |
| 発表日時 | 2011-07-30 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-57 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.167 |
| ページ範囲 | pp.103-108 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) |
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