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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-10 13:50 SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 酒井崇史・逸見充則・村田裕亮・鈴木真一郎・山上朋彦・林部林平・○上村喜一（信州大）  CPM2011-58 |
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| 抄録 | （和） | SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し，これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面特性を得ることを試みた。XPSによる直接窒化層表面の測定から直接窒化後のSiC表面層の組成と厚さを解析した結果，窒化層中の窒化種の拡散係数が著しく低いこと，直接窒化層がSiO$_2$ CVD装置内の残留酸素で酸化されやすいことが示された。また，MIS構造の電気的特性から界面特性を評価した結果，直接窒化層の導入により界面準位密度が低減することが示された |
| （英） | A nitride layer was formed on a SiC surface by direct nitridation method to use an interfacial layer of the SiC MIS structure. The XPS measurement of nitrided surface showed that the diffusion length of nitrogen in the nitridation layer was found to be extremely small, and that the direct nitridation layer was easily oxidized by the residual oxygen in SiO$_2$ CVD system. The direct nitridation was effective to reduce the interface state density between the insulating layer and the 4H-SiC substrate. | |
| キーワード | （和） | SiC / 直接窒化 / MOS / 界面準位 / / / / |
| （英） | SiC / direct nitridation / MOS / interface states / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-58, pp. 11-14, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-58 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct Nitridation of SiC Surface and Characterization of Nitride/SiC Interface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 直接窒化 / direct nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | 界面準位 / interface states |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 崇史 / Takashi Sakai / サカイ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 逸見 充則 / Mitsunori Hemmi / ヘンミ ミツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 裕亮 / Yusuke Murata / ムラタ ユウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 真一郎 / Shinichiro Suzuki / スズキ シンイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林部 林平 / Rinpei Hayashibe / ハヤシベ リンペイ |
| 第6著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第7著者 |
| 発表日時 | 2011-08-10 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-58 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
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