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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-10 13:25 In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性のDLTS評価 ○鈴木聡一郎・佐藤真哉・岩崎拓郎（弘前大）・俵 毅彦・舘野功太・後藤秀樹・寒川哲臣（NTT）・岡本 浩（弘前大）  CPM2011-57 |
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| 抄録 | （和） | Biをサーファクタントとした独自の成長方法によって成長したGaAsP歪補償層を有する10層量子ドットを対象とし、DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 評価を行った。DLTSのパルス幅依存性測定からキャリアの捕獲に長い時間がかかっていることが明らかになったため、キャリア捕獲過程のDLTS測定を試みた。その結果、キャリアの放出と捕獲の過程において、活性化エネルギー等が同様の特性を示すことがわかった。この結果から、双方の過程は共通のバリアで律速されており、共通のバリアはGaAsP歪補償層と考えられることを示した。 |
| （英） | A ten-layer quantum-dot structure with GsAsP strain-compensation layer grown by using Bi surfactant was evaluated by DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) measurement. Since it was clarified that the capture time of carriers for the DLTS was significantly long, another DLTS measurement for evaluating the carrier-capture process was introduced. The results of these measurements showed that the characteristics such as activation energies were considerably similar to each other for the emission and capture processes. Thus, it is pointed out that the limiting factor for both of the processes is determined by the identical energy barrier, which is formed by GsAsP strain-compensation layer. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / InAs / InGaAs / DLTS / / / / |
| （英） | quantum dots / InAs / InGaAs / DLTS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-57, pp. 7-10, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-57 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性のDLTS評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DLTS evaluation of carrier injection and emission properties in In(Ga)As stacked quantum dot structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / quantum dots |
| キーワード(2)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(4)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 聡一郎 / Soitiro Suzuki / スズキ ソウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 真哉 / Shinya Sato / サトウ シンヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩崎 拓郎 / Takuro Iwasaki / イワサキ タクロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 俵 毅彦 / Takehiko Tawara / タワラ タケヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舘野 功太 / Kouta Tateno / タテノ コウタ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 秀樹 / Hideki Gotoh / ゴトウ ヒデキ |
| 第6著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寒川 哲臣 / Tetsuomi Sogawa / ソウガワ テツオミ |
| 第7著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 浩 / Hiroshi Okamoto / オカモト ヒロシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-10 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-57 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
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