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講演抄録/キーワード
講演名 2011-08-10 15:45
プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
奥野さおり三浦創史鎌田亮輔中澤日出樹弘前大CPM2011-62
抄録 (和) ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性の改善のために、SiおよびN源にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いたプラズマCVD法によりSiおよびN同時添加DLC膜を作製し、希釈ガスの違いによるDLC膜特性の変化を調べた。原料ガスとしてCH4およびHMDS、希釈ガスとしてArまたはH2を用い、基板には直流負バイアスを印加した。CH4に対するHMDS流量比の増加に伴い、内部応力および摩擦係数は減少し、付着力は増加した。また、H2希釈によって微粒子の発生を抑制できることがわかった。Arに比べてH2を用いたときの方が、摩擦係数は減少し、密着性および耐摩耗性が向上した。 
(英) To further improve the properties of diamond-like carbon (DLC) films, we have deposited Si- and N-coincorporated DLC (Si-N-DLC) films by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using hexamethyldisilazane (HMDS) as a Si and N source, and investigated in detail the effects of dilution gas on the film properties. CH4 and HMDS were used to deposit Si-N-DLC films, and they were diluted with Ar or H2 during deposition. A DC bias applied to the substrate was used to increase the incident ion energy. The internal stress and friction coefficient decreased and the adhesion strength increased with increasing HMDS flow ratio [HMDS/(HMDS+CH4)]. It was found that H2 dilution was effective in suppressing the formation of particles and further decreasing the friction coefficient and increasing the adhesion strength and wear resistance.
キーワード (和) ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長法 / シリコン / 窒素 / / / /  
(英) Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-62, pp. 31-36, 2011年8月.
資料番号 CPM2011-62 
発行日 2011-08-03 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2011-62

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2011-08-10 - 2011-08-11 
開催地(和) 弘前大学 文京町キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Hydrogen effects on the properties of Si- and N-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon  
キーワード(2)(和/英) プラズマ化学気相成長法 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) シリコン / Silicon  
キーワード(4)(和/英) 窒素 / Nitrogen  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥野 さおり / Saori Okuno / オクノ サオリ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 創史 / Soshi Miura / ミウラ ソウシ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 亮輔 / Ryosuke Kamada / カマダ リョウスケ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-08-10 15:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2011-62 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.176 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2011-08-03 (CPM) 


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