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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-10 13:00 レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性 ○鈴木大樹・熊谷知貴・中澤日出樹（弘前大）  CPM2011-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-56 |
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| 抄録 | （和） | KrFエキシマーレーザーおよび窒化アルミニウム（AlN）ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基板上およびSi(111)基板上にAlN薄膜を作製し、作製条件による結晶性および表面モフォロジーの変化を調べた。薄膜の結晶性は、反射高速電子線回折、X線回折、およびフーリエ変換赤外分光法を用いて評価した。また、表面モフォロジーの評価には原子間力顕微鏡を用いた。両基板ともに、各窒素圧力において結晶性が最も良好となる最適な基板温度が存在し、最適な基板温度は窒素圧力の増加に伴い増加する傾向があることがわかった。同成長条件下ではSi(111)に比べてSi(100) の方が結晶性が良好であった。AlN薄膜の結晶性が最も良好になるのは、Si(100)基板上で基板温度700 °Cおよび窒素圧力1 Paのときであった。 |
| （英） | We have grown aluminum nitride (AlN) films on Si(100) and Si(111) substrates by pulsed laser deposition using KrF excimer laser and an AlN target, and investigated the crystallinity and surface morphology of the grown films. The crystallinity of the films was evaluated by reflection high-energy electron diffraction, X-ray diffraction, and Fourier-transform infrared spectroscopy. The surface morphology of the films was observed by atomic force microscopy. For each substrate, we found that the growth must be conducted within a certain temperature region at a given N2 pressure to obtain a high-quality single crystalline AlN film. We also noted that the optimum temperature was an increasing function of N2 pressure. Under the same growth conditions, Si(100) provides AlN films with better crystallinity than Si(111). The film with the best crystallinity was obtained at 700 °C and 1 Pa on Si(100) in this study. | |
| キーワード | （和） | 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / シリコン / / / / / |
| （英） | Aluminum nitride / Pulsed laser deposition / Silicon / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-56, pp. 1-6, 2011年8月. | |
| 資料番号 | CPM2011-56 | |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2011-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2011-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2011-08-10 - 2011-08-11 |
| 開催地（和） | 弘前大学 文京町キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2011-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of AlN growth by pulsed laser deposition on orientation of Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum nitride |
| キーワード(2)（和/英） | レーザーアブレーション / Pulsed laser deposition |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 大樹 / Daiki Suzuki / スズキ ダイキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊谷 知貴 / Tomoki Kumagai / クマガイ トモキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-10 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2011-56 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.176 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-08-03 (CPM) |
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