お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2011-08-11 11:20
下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法
野毛 悟梅原 猛沼津高専)・宇野武彦神奈川工科大CPM2011-71 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-71
抄録 (和) 現在対象としている磁気光学特性に優れたセリウム置換YIG {(CexY3-x)Fe5O12, Ce:YIG}のみならず,多くの薄膜材料においては,SiO2薄膜上への結晶薄膜形成が期待されている.例えば,非晶質膜上への単結晶薄膜形成法には,グラフォエピタキシャル成長法なども研究されているが課題の解決には至っていない.本報告は,SiO2のような非晶質基板上への薄膜単結晶形成方法を提案するものである.提案手法は,酸化物結晶薄膜形成時における下地基板への依存性という課題を解決する一つの方法として有効であると考えられる. 
(英) A growth technique for single crystal film on silica substrate is strongly desired, not only for Ce:YIG but also for many other kinds of materials. Although several kinds of methods such as graphoepitaxial growth have been tested, a successful method has not been established yet. In this paper, we propose a simple method of obtaining a single crystal film on silica substrate. This method will be useful for fabrication of various single oxide crystal films on silica, silicon and many other substrates.
キーワード (和) 磁気光学効果 / YIG / セリウム置換YIG / 単結晶薄膜 / エピタキシャル / 熱処理 / /  
(英) Magneto-Optic Effect / YIG / Cerium Substituted YIG / Single Crystal Film / Epitaxial / Thermal Treatment / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 176, CPM2011-71, pp. 73-78, 2011年8月.
資料番号 CPM2011-71 
発行日 2011-08-03 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2011-71 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2011-71

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2011-08-10 - 2011-08-11 
開催地(和) 弘前大学 文京町キャンパス 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2011-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Crystal Thin Film Growth Technique for Reducing the Effects of the Base Substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 磁気光学効果 / Magneto-Optic Effect  
キーワード(2)(和/英) YIG / YIG  
キーワード(3)(和/英) セリウム置換YIG / Cerium Substituted YIG  
キーワード(4)(和/英) 単結晶薄膜 / Single Crystal Film  
キーワード(5)(和/英) エピタキシャル / Epitaxial  
キーワード(6)(和/英) 熱処理 / Thermal Treatment  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野毛 悟 / Satoru Noge / ノゲ サトル
第1著者 所属(和/英) 沼津工業高等専門学校 (略称: 沼津高専)
Numazu National College of Technology (略称: Numazu NCT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅原 猛 / Takeshi Umehara /
第2著者 所属(和/英) 沼津工業高等専門学校 (略称: 沼津高専)
Numazu National College of Technology (略称: Numazu NCT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇野 武彦 / Takehiko Uno /
第3著者 所属(和/英) 神奈川工科大学 (略称: 神奈川工科大)
Kanagawa Institute of Technology (略称: Kanagawa Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2011-08-11 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2011-71 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.176 
ページ範囲 pp.73-78 
ページ数
発行日 2011-08-03 (CPM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会