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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-08-26 10:25 ［招待講演］極低電力ロジックデバイス技術の現状と展望 ○井田次郎（金沢工大）  SDM2011-86 ICD2011-54 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-86 ICD2011-54 |
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| 抄録 | （和） | ばらまき型センサネットワーク、埋め込み医療デバイスなど、電池レスが必要な極低電力応用が、エネルギー・ハーベスティングの進展で現実味を帯びてきた。そこで要求される集積回路の基本ロジックデバイスについて、必要となるトランジスタ性能の仕様設定の一例を挙げ、デバイスとしてオフ電流（Ioff,）、Subthreshold Swing (S値)を小さくする重要性を再考した。この応用に向け、バルクトランジスタ、FD (Fully Depleted) -SOIトランジスタの現状、さらに最近注目されている理論特性を超える急峻なS値を持つデバイスの研究状況をレビューした。最後に、I-MOSの一種であるフローティングボディー効果を使うSOI構造トランジスタでのS値のデータを紹介した。 |
| （英） | Ultra Low Power Application of Sensor network, or, implanted medical devices where battery less, ultimately, is needed, will be in reality with expanding research of energy harvestings. Re-consideration of device specification on logic transistor in VLSI for those applications reveals again the need of reduction of the off current and the subthreshold swing of the transistors. For those applications, status of Bulk transistor, FD-SOI transistor and the super steep cut off transistor which S-value is over the theoretical limit and which research papers are increased, are reviewed. Finally, some data of the steep S-value obtained by floating body effect in SOI transistor which is one of I-MOS are introduced. | |
| キーワード | （和） | 極低電力 / センサネットワーク / FD-SOI / Tunnel FET (TFET) / Impact Ionization MOS (I-MOS) / / / |
| （英） | Ultra Low Power / Sensor Network / FD-SOI / Tunnel FET / Impact Ionization MOS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 187, SDM2011-86, pp. 79-83, 2011年8月. | |
| 資料番号 | SDM2011-86 | |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-86 ICD2011-54 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-86 ICD2011-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD |
| 開催期間 | 2011-08-25 - 2011-08-26 |
| 開催地（和） | 富山県民会館 |
| 開催地（英） | Toyama kenminkaikan |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-08-SDM-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極低電力ロジックデバイス技術の現状と展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Status and Prospect of Ultra Low Power Logic Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極低電力 / Ultra Low Power |
| キーワード(2)（和/英） | センサネットワーク / Sensor Network |
| キーワード(3)（和/英） | FD-SOI / FD-SOI |
| キーワード(4)（和/英） | Tunnel FET (TFET) / Tunnel FET |
| キーワード(5)（和/英） | Impact Ionization MOS (I-MOS) / Impact Ionization MOS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-08-26 10:25:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-86, ICD2011-54 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.187(SDM), no.188(ICD) |
| ページ範囲 | pp.79-83 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-08-18 (SDM, ICD) |
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