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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-20 13:30 ［招待講演］完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ ○平本俊郎（東大）  SDM2011-97 |
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| 抄録 | （和） | イントリンジックチャネル完全空乏型(FD) SOI MOSFETの統計的性質を実測し，従来のバルクMOSトランジスタと比較した．しきい値電圧(Vth)ばらつきは，SOI MOSFETで大幅に抑制されることを確認した．さらに，ランダムテレグラフノイズ(RTN)によるVthの時間的変動の最悪値も，FD SOI MOSFETの方が小さいことが明らかとなった．三次元デバイスシミュレーションにより，これらの統計的ばらつきの抑制は，チャネルに不純物が存在しないことに起因することを明らかにした．これらの結果は，チャネル不純物を有しないイントリンジックチャネルMOSトランジスタが将来有望なデバイス構造であることを示している． |
| （英） | Statistical characteristics of intrinsic channel fully depleted (FD) SOI MOSFETs and conventional bulk MOSFETs are compared. It is experimentally confirmed that threshold voltage (Vth) variability is well suppressed in FD SOI MOSFETs. Moreover, the worst value of time-dependent Vth change due to random telegraph noise (RTN) is also smaller in FD SOI MOSFETs. The mechanisms of these variability suppressions are discussed using three dimensional device simulation and it turns out that the absence of random dopant fluctuation (RDF) in channel is responsible for suppressed variability. These results strongly demonstrate the advantage of intrinsic channel MOSFETs where the channel does not include dopant atoms. | |
| キーワード | （和） | Random dopant fluctuation / RDF / Random telegraph noise / RTN / FD SOI MOSFET / / / |
| （英） | Random dopant fluctuation / RDF / Random telegraph noise / RTN / FD SOI MOSFET / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-97, pp. 1-4, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-97 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-97 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics Variability and Random Telegraph Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Random dopant fluctuation / Random dopant fluctuation |
| キーワード(2)（和/英） | RDF / RDF |
| キーワード(3)（和/英） | Random telegraph noise / Random telegraph noise |
| キーワード(4)（和/英） | RTN / RTN |
| キーワード(5)（和/英） | FD SOI MOSFET / FD SOI MOSFET |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-20 13:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-97 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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