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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-20 16:10 ［特別講演］学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 ○大見忠弘（東北大）  SDM2011-102 |
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| 抄録 | （和） | インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間，3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように，現状のシリコン技術はその限界にほぼ到達し進歩は完全に止っている．そのため世界の情報通信技術(ICT)の進歩も止ってしまっているため，全世界のすべての産業技術もその進歩を止めている．世界は，まさに世界同時大不況の真っ只中にある． この困難な状況を克服するため，筆者らは長い年月を掛けて“学問に基づく本物のシリコン技術創り”を進めて来た．現状のシリコン技術は，MOSトランジスタのゲート絶縁膜(SiO2)を、反応力を全く持たない酸素分子(O2)や水分子(H2O)を用いた高温熱酸化で形成しているため，程々の品質のSiO2膜が(100)シリコン表面にだけ形成されるため(他の面方位のシリコン表面上にはきわめて劣悪な酸化膜)，2次元形状のMOSトランジスタを用いて(100)表面のシリコン上にだけLSIが形成できる技術なのである．そのため現状のシリコン技術では，シリコン結晶の有する全性能のうち，きわめて限定された性能しか活用できていないのである． シリコン結晶の有する全性能を完全に活用するためには，3次元立体構造のMOSトランジスタを駆使して，任意の面方位のシリコン表面上にLSIを製造できる，“学問に基づく本物のシリコン技術”を創出しなければならない．本物のシリコン技術を創出するためには，すべての面方位のシリコン表面上に文字通り超高品質のゲート絶縁膜が同じ成膜速度で形成できる超高品質ゲート絶縁膜形成技術が存在しなければならない．それが筆者等が長年開発し続けて来た“ラジカル酸化(SiO2)”であり，“ラジカル窒化(Si3N4)”である． |
| （英） | Current Silicon Technologies can fabricate LSI only on (100) Silicon surface using two dimensional planar structure MOS transistors, because relatively high integrity SiO2 films can be formed only on (100) Silicon surface by current thermal oxidations using O2 molecules and/or H2O molecules at high temperatures. Thus, very limited capability of the silicon crystal can be practically utilized at present by the current silicon technologies. Current silicon technologies are typical experience/feeling based technologies. In order to utilize the entire capability of the silicon crystal, LSI must be fabricated on any crystal orientation silicon surface by using three dimensional structure MOS transistors. In order to perform this requirement, very high integrity gate insulator films must be formed on any crystal orientation silicon surface with the same formation speed ,i. e., science based radical oxidation and radical nitridation using newly developed plasma process equipment completely free from contaminations and damages. | |
| キーワード | （和） | シリコン技術 / ラジカル酸化 / ラジカル窒化 / 3次元立体構造MOSトランジスタ / / / / |
| （英） | Silicon Technology / Radical Oxidation / Radical Nitridation / Three-Dimensional Structure MOS Transistor / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-102, pp. 27-36, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-102 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Science Based New Silicon Technologies |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン技術 / Silicon Technology |
| キーワード(2)（和/英） | ラジカル酸化 / Radical Oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | ラジカル窒化 / Radical Nitridation |
| キーワード(4)（和/英） | 3次元立体構造MOSトランジスタ / Three-Dimensional Structure MOS Transistor |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-20 16:10:00 |
| 発表時間 | 90分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-102 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.27-36 |
| ページ数 | 10 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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