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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 14:00 ［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル ○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大）  SDM2011-110 |
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| 抄録 | （和） | プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが，デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した．イオンの入射エネルギー（Eion），シリコン基板表面に形成されるダメージ層構造，ダメージ層除去に伴うシリコンロス，シリコンロスに伴うデバイス特性変動（Vth），の定量的相関を示すプラズマダメージモデルを報告する．さらに，本モデルに基づいたデバイス特性バラツキを予測するためのモデルを示すとともに，典型的な例に対しての計算結果を議論する．プラズマダメージによるデバイス特性バラツキは，将来のデバイス設計では無視できない要素になると予測される． |
| （英） | We investigated the effects of plasma process-induced physical damage (bombardment of ions) on MOSFET performance degradation. We focus on “Si recess” in the source / drain extension region – Si loss by a subsequent wet-etch of the damaged-layer formed during plasma etch processes. We present a model describing the relationship between the energy of incident ion, Si recess depth dR, and the threshold voltage shift Vth of MOSFET. Based on the analytic model, we then propose a unified framework for predicting the MOSFET parameter fluctuation induced by the plasma process damage. The model prediction suggests an increase in Vth-variation by Si recess structure (dR). We also estimate an enhancement of the subthreshold leakage-current fluctuation by the Si recess structure. | |
| キーワード | （和） | プラズマダメージ / ,Siリセス / しきい値電圧変化 / サブスレッショルドリーク / バラツキ / / / |
| （英） | Plasma-Induced Damage / Si recess / Threshold Voltage Shift / Subthreshold Leakage / Parameter Fluctuation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-110, pp. 73-78, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-110 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design Framework for Parameter Fluctuation in MOSFET Damaged by Ion Bombardment during Plasma Etching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマダメージ / Plasma-Induced Damage |
| キーワード(2)（和/英） | ,Siリセス / Si recess |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値電圧変化 / Threshold Voltage Shift |
| キーワード(4)（和/英） | サブスレッショルドリーク / Subthreshold Leakage |
| キーワード(5)（和/英） | バラツキ / Parameter Fluctuation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江利口 浩二 / Koji Eriguchi / エリグチ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中久保 義則 / Yoshinori Nakakubo / ナカクボ ヨシノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 朝彦 / Asahiko Matsuda / マツダ アサヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鷹尾 祥典 / Yoshinori Takao / タカオ ヨシノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斧 高一 / Kouichi Ono / オノ コウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 14:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-110 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.73-78 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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