講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-10-21 09:00
[招待講演]角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 ○野平博司・小松 新・那須賢太郎・星 裕介・榑林 徹・澤野憲太郎(東京都市大)・マクシム ミロノフ(Warwick大)・白木靖寛(東京都市大) SDM2011-103 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-103 |
抄録 |
(和) |
Si-cap層の厚さとHfO2堆積後の熱処理(PDA)が,HfO2/Si-cap/歪みGe/Si0.5Ge0.5/Si 構造の組成および化学結合状態に及ぼす影響を角度分解X線光電子分光法を用いて調べた.Ge 2p, Si 1s, Hf 3dおよびO 1s光電子スペクトルの解析から,Si-cap層なしあるいは厚さが1nmのときは歪みGe層がHfO2堆積中に酸化すること,一方Si-cap層の厚さが3nmと5nmの場合は,歪みGe層の酸化が抑制されることを見出した.また,歪みGe層の酸化が抑制できるSi-cap層の厚さを推定した。 |
(英) |
We have investigated the influence of Si-cap layer and the post deposition annealing (PDA) on compositional depth profiles and chemical structures of HfO2/Si-cap/strained Ge/Si0.5Ge0.5/Si interfaces by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy. Analyses of Ge 2p, Si 1s, Hf 3d and O 1s spectra show that strained-Ge layer was oxidized during the deposition of HfO2 in the case of 1 nm in thickness of the Si-cap layer and that strained-Ge layer was not oxidized in the case of 3 nm and 5 nm in thickness of the Si-cap layer. A critical Si thickness also extracted. |
キーワード |
(和) |
放射光 / 角度分解X線光電子分光法 / Si-cap / HfO2 / 歪みGe / / / |
(英) |
synchrotron radiation / Angle Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy / Si-cap / HfO2 / strained Ge / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-103, pp. 37-41, 2011年10月. |
資料番号 |
SDM2011-103 |
発行日 |
2011-10-13 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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