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講演抄録/キーワード
講演名 2011-10-21 09:00
[招待講演]角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価
野平博司小松 新那須賢太郎星 裕介榑林 徹澤野憲太郎東京都市大)・マクシム ミロノフWarwick大)・白木靖寛東京都市大SDM2011-103 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-103
抄録 (和) Si-cap層の厚さとHfO2堆積後の熱処理(PDA)が,HfO2/Si-cap/歪みGe/Si0.5Ge0.5/Si 構造の組成および化学結合状態に及ぼす影響を角度分解X線光電子分光法を用いて調べた.Ge 2p, Si 1s, Hf 3dおよびO 1s光電子スペクトルの解析から,Si-cap層なしあるいは厚さが1nmのときは歪みGe層がHfO2堆積中に酸化すること,一方Si-cap層の厚さが3nmと5nmの場合は,歪みGe層の酸化が抑制されることを見出した.また,歪みGe層の酸化が抑制できるSi-cap層の厚さを推定した。 
(英) We have investigated the influence of Si-cap layer and the post deposition annealing (PDA) on compositional depth profiles and chemical structures of HfO2/Si-cap/strained Ge/Si0.5Ge0.5/Si interfaces by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy. Analyses of Ge 2p, Si 1s, Hf 3d and O 1s spectra show that strained-Ge layer was oxidized during the deposition of HfO2 in the case of 1 nm in thickness of the Si-cap layer and that strained-Ge layer was not oxidized in the case of 3 nm and 5 nm in thickness of the Si-cap layer. A critical Si thickness also extracted.
キーワード (和) 放射光 / 角度分解X線光電子分光法 / Si-cap / HfO2 / 歪みGe / / /  
(英) synchrotron radiation / Angle Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy / Si-cap / HfO2 / strained Ge / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-103, pp. 37-41, 2011年10月.
資料番号 SDM2011-103 
発行日 2011-10-13 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2011-103 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-103

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-10-20 - 2011-10-21 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Tohoku Univ. (Niche) 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process science and new process technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 放射光 / synchrotron radiation  
キーワード(2)(和/英) 角度分解X線光電子分光法 / Angle Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy  
キーワード(3)(和/英) Si-cap / Si-cap  
キーワード(4)(和/英) HfO2 / HfO2  
キーワード(5)(和/英) 歪みGe / strained Ge  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野平 博司 / Hiroshi Nohira / ノヒラ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小松 新 / Arata Komatsu / コマツ アラタ
第2著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 那須 賢太郎 / Kentarou Nasu / ナス ケンタトウ
第3著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 星 裕介 / Yusuke Hoshi / ホシ ユウスケ
第4著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 榑林 徹 / Toru Kurebayashi / クレバヤシ トオル
第5著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤野 憲太郎 / Kentaro Sawano / サワノ ケンタロウ
第6著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) マクシム ミロノフ / M. Myronov / マクシム ミロノフ
第7著者 所属(和/英) Warwick大学 (略称: Warwick大)
The University of Warwick (略称: Univ. of Warwick)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 白木 靖寛 / Yasuhiro Shiraki / シラキ ヤスヒロ
第8著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-10-21 09:00:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2011-103 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.249 
ページ範囲 pp.37-41 
ページ数
発行日 2011-10-13 (SDM) 


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